請問附件圖片layout圖

gwuel888

請問各位,以下有些問題須大家幫忙
1.有人知道附件圖片layout圖,是MOS還是BJT? 或是另一種元件?
2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
3.MOS電容LAYOUT有參考書籍或是建議以供參考嗎?
  a# U$ |3 J+ v: o
4 {& J3 L% m& o9 e. S* g
* L( b8 G( X% v- [8 ]9 B 謝謝@@

小包

長得有點像 lateral pnp的BJT，它只有2顆嗎??
6 v! u6 S4 b3 ^% A1P2M只能用一般MOS當電容吧~
" k, l3 v6 @# qMOS當電容只要把S/D/B接到一起接VDD或GND就好了~

/ c% M1 ^9 O  q) C4 z& V( A% s[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-3 11:00 PM 編輯 ]

motofatfat

2.若是1P2M製程其電容用材料佈局,以前都是兩層POLY畫的,但現在想知道此製程畫法
既然是  1 P 2 M  哪來  兩層POLY ?
光憑這樣 粉難看出來
+ C1 N9 ]) r) N% ~* K也有可能是  2 層   Metal  MIM ㄉ  電容
9 W, m4 W% K+ F( B1 W可以說明一下  這張圖是 Metal 層  還是  去掉 一層 METAL  以後ㄉ 圖

gwuel888

附件一層METAL 1+ POLY 與只有 POLY 圖片

gwuel888

因為之前我嘗試有畫過電容,但到了LVS 時就有不知道要如何做?
* W% j* w6 x: f7 ~請問一下
1.那mos電容SPICE 語法如何下
: h4 w$ N' W5 y7 C8 R# X是==> MCAP  VDD!  NET2  VDD!  VDD!  PCH  W=2u l=1u
2.容值如何知道??

kazamigai

看來像是顆mos，中間一顆cont應該是D端
外面一排（5顆）cont應該是S端

% x6 L9 q9 {- u5 O0 H9 @應該不是mos電容，看m1跑法並沒有把s與d接在一起

小包

回復 4# gwuel888
9 r) V0 l! `: U
一般mos電容的語法跟普通mos的寫法一樣，容值要請rd去根據製程推算。
* U9 r3 N, X) S$ E4 L' O  l看到你po的metal1的圖，這個東西上面有4個接點，我想他真的是lateral pnp的BJT，因為這種架構的bjt是高壓製程的bjt，emitter跟base是同一塊od，中間圍上一圈poly來控製emitter跟base的關係，最外面的od才是collector

小包

回復 7# 小包

1 t# H6 U, f0 w2 ^" V; f: O
3 V3 }' m  V, @, U& d" S. e, O不過這種bjt現在很少人用了~有些原本有做的fab廠後來也都不提供這種元件了

kazamigai

但我覺得不太像是BJT，因為所附上的圖有用到poly，在我的記憶中似乎沒有BJT有用到poly

gwuel888

1.感謝各位抽空答覆!!
2.此製程1P2M 0.6um
9 \1 C8 ]' W) O0 @9 u, X3.附件是電容畫法結構，小弟才疏學淺 想問說此電容會是mos電容嗎?

小包

回復 9# kazamigai

確實有這種bjt
& T+ _2 T( e. M只是你沒有碰過
8 l. j7 s7 L2 {# w3 ^它叫做lateral架構pnp的BJT
為高壓製程，非常少人使用
我也只lay過一次
有本書上有介紹這種元件
"analysis and design of analog integrated circuits"
ISBN: 0-471-37752-x
page 109
你去看就知道我說的東西了

小包

回復 10# gwuel888
5 W9 n! d2 g5 }# t) N- N" k

7 {6 V! p0 A6 L" @你po的圖不是mos電容吧~~
2 o8 Q: O! T* r+ m3 ^& y看起來比較像是PIP電容…所以他不是1P2M吧
因為MOS電容長得跟普通MOS一樣
# U, |" h) R7 f) W; S7 t只是SOURCE/DRAIN/BULK 接POWER
% U7 E& e; c0 m! bGATE接訊號線

kazamigai

按照給的圖形來看，應該類似於此圖。
中間cont為Drain，外圈一排cont為Source，
! X* [% r) t" N8 Z9 h* E在poly上的cont為gate，會用此劃法的情況下是想在有限的面積裡，求得最大的w值
這是小弟的經驗談（因為有畫過像此的劃法）

kazamigai

附上圖片

小包

回復 14# kazamigai

有道理~
. ]0 R- k7 b7 D1 L' _" M我也lay過類似的mos
5 M: \6 s" d9 C* b1 |7 @$ |雖然長得不太像~
/ J- }; N2 R, _) F% }1 o$ ?也是一樣用poly繞drain一圈

CHIP321

同意kazamigai的看法，做MOS解釋要好些，如果能確認是1P2M的標準MOS製程，那么應當確認無疑了。

pkf690801

thanks..............................................

shangyi

雖然我沒畫過...但還是發表一些淺見
" E! U$ A8 s4 V4 b; X% t中間那圈有接contact的應該是thin oxide
% m9 {3 C* @: x# ~( e  T. ]外面跟它相同顏色的應該是thick oxide
5 V  t( @' h1 K, W, \6 G, j有點粉紅色的應該是difusion
內圈應該是drain 因為周長最小 雜散電容最小
) o% a$ S( x  P& R) u2 g* A7 r: Z外圈應該是source
5 E5 c3 ~% t1 x) P" p% Z" `4 t此種mos layout 雖然在相同面積下會有比較大的 W/L ratio
但ratio值難以估算 所以比較不精準
6 \, d  h/ e5 G5 l. m比較不適用於要求精準的類比電路