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[問題求助] laser trimming layout应该注意哪些

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1#
發表於 2009-10-30 12:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近有个项目要用laser trimming,请问各位前辈,laser trimming的layout需要注意什么,先谢谢了。
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2#
發表於 2009-10-31 00:36:39 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

使用laser trimming,要看你是給哪家做的,跟他們要rule,照著lay就好了~另外如果fab廠也有提供相關的rule也要follow。4 g" ]5 Q$ A; x8 g
一般情況,都會要求同一片wafer上的fuse方向跟type(metal fuse或poly fuse)要一樣,同一個chip的fuse最好擺在一起,可以節省trimming的時間,如果不能擺一起,擺靠近就ok了~另外rule上應該會要求同一片wafer上每幾um就要存在一個L mark。總而言之看rule就對了~
3#
 樓主| 發表於 2009-11-2 13:39:56 | 只看該作者

回復 2# 的帖子

非常感谢你的回到,另外我还有些问题:
! J+ V* z4 t. k# |1,metal fuse和poly fuse哪一个良率更高一些
) H6 J' Z+ ]- L8 z- d2 ^6 p% p2,fuse上面是否需要开窗口,这个在rule里面没有提到
0 r" Y' T" [( S3,L mark在rule里面要求放在die的四个corner上面,而且和fuse用的同一个layer,那么如果fuse上面开窗口的话,L mark上面应该也要开窗口吧" Z1 h! u* A) y8 b0 N
4,L mark可否放在fuse的附近,而不放在die的corner附近
4#
發表於 2009-11-2 22:44:24 | 只看該作者

回復 3# 的帖子

1、metal fuse跟poly fuse的使用取決於rd,有些在線路的設計上就是只能用metal fuse,因為poly fuse相當於一個電阻,有些則是都ok。另外要注意的是,如果使用METAL FUSE,要注意METAL 厚度多少,若是有使用厚METAL,可能會有TRIM不斷的疑慮~
! f0 f' O, y) y; {$ v) p" V- G+ s: c2、fuse上一定要開窗口,不然怎麼trim…rule上可能沒有很明白跟你說要加上什麼layer(一般是用passivation/CB),不過一定有說要多大的開窗,只是用的名詞不同,譬如說有的會定義side wall包FUSE多少,SIDE WALL就是指你的passivation或CB…如果都沒寫的話建議你去問一下廠商,沒寫就太跨張了~" ^& u' \' o2 l
3、Lmark是給機器定位用的,所以也要開窗哦~~
( m7 l7 Q3 U) F- C) D4 U1 j5 H7 g4、LMARK可不可以放在FUSE旁,似乎沒有硬性規定,只要符合RULE就OK了,基本上我們都是放在CHIP有空的地方。& m- A6 w- V: H- n- v0 B2 Q

5 ]" S. y- _1 l7 Z1 y7 ?[ 本帖最後由 小包 於 2009-11-2 10:45 PM 編輯 ]
5#
 樓主| 發表於 2009-11-12 16:30:44 | 只看該作者
回復 4# 的帖子
6 I# Q7 k$ Z" y1 t3 Y+ y+ k$ J6 g非常感谢你的回复,但我仍有一些问题请教:
8 o. d9 q" ]8 o6 n% G! R: P% E% f1.metal fuse和poly fuse同样都是开了窗口,在Layout里面的处理是加passivation OR CB OR PAD这一层,那么即使开了窗口(就是把fuse上的passivation刻蚀掉),但是metal fuse可以使用top metal,所以metal fuse上面不会有残留的passivation的,但是poly fuse不一样了,poly上面的oxide和passivation都很厚,足有几个um,那么这样的话,poly fuse上面覆盖了一层oxide能不能trim,还是poly fuse必须裸露出来(通过过刻蚀实现),才能trim。在这里我主要关心的是,fuse上面如果有很薄的一层oxide,能不能trim,fuse上面有oxide+passivation能不能trim?
9 M8 k, Q8 A& t* B( E3 K1 o+ i% x2.fuse和L-mark都需要开窗口,那么passivation应该overlap fuse(L-mark)多大,可否给我一个经验值,因为我拿到rule里面要球开窗口,但是没有具体的尺寸* T* D) L: _9 C1 `9 f6 f
3.L-mark在rule里面可以只放一个,而且位置随意
- C4 t# Z* y; p( I) f) @5 d4.为了节省trim的时间,多个fuse的摆放,有没有什么特殊的要求,rule上面写到可以摆放在一排
6#
發表於 2009-11-12 20:54:32 | 只看該作者
回復 5# jian1712 , D, g4 l; W% p6 C

: m( K/ w- m* Z' Y' F1 }, N5 I- K1。理論上是不管你有什麼layer存在,只要上面有cb這層layer,就會被裸露在外面。而你說的如果poly上面有oxide是不是能trim,我個人的想法是沒有問題的,因為laser trim是打雷射的能量進去,它應該是可以打穿od以上的layer,只是在於能量的多寡。但這個只是我的個人想法啦,關於你的疑慮應該去請教你們的廠商,因為這些東西每家不一樣,有的做的到有的做不到。而poly上是否會殘留oxide則應該去問你們下的fab廠,目前為止我們下過的沒有發生過。! G7 Q( X- j% o0 u; p( D2 r
2。一般會比pad稍為小一點。/ q5 S( k: h; S& ?- c
3。其實lmark放在fuse近一點是最好的,因為機器在對到mark的時後,移動到fuse的距離會比較短。
* C+ Y6 p0 t/ Z1 N# k! Q- h4。多個fuse的時後,||||||  ||||||  |||||||→最好;
' M! L- A- h5 Z" ?) Z' g9 {3 D. u|||||% e9 L: ?; \) {+ w# r: F
|||||
0 u1 {& C; b  p9 }|||||→普通
: `) g9 Y% _* Q  y/ s7 @& I( |4 c3 r1 p) E* J
|||||1 r) m. E/ y) A4 ]( o
≡≡≡→最差。一堆直的,一堆橫的最差,因為chip要轉向,lmark要重新對
7#
 樓主| 發表於 2009-11-18 09:23:45 | 只看該作者
回復 6# 小包
# z- t6 V% n/ A谢谢
8#
發表於 2009-11-21 21:26:18 | 只看該作者
又学到很多呀呵呵呵,很感谢
9#
發表於 2010-2-4 20:54:54 | 只看該作者
剛出社會的新手
# F7 |% O3 i9 h9 D$ E$ A這些專業知識  H# \# M9 U# s' j/ {8 n
對我來說
2 e' l9 H6 b( S0 s是非常有幫助的
7 K6 C/ `5 o/ w- m3 L4 N; h5 n感謝老前輩的提供知識
10#
發表於 2010-2-4 20:58:51 | 只看該作者
剛出社會的新手
  x+ i4 w$ t: e6 S/ b# y6 c# f這些專業知識8 P% q$ R( Y  X0 r* E5 i  E: }
對我來說
  ~/ V& x4 z7 E0 |1 z0 y是非常有幫助的6 x$ P+ f1 z; M6 ]3 r
感謝老前輩的提供知識
11#
發表於 2010-3-19 17:16:09 | 只看該作者
雖然沒作過LASER TRIMMING5 K+ {( l8 ~" k* G2 X6 h0 G& P" }
先學下來以備不時之需囉
( I7 d+ G; g, j5 Q9 O6 \謝謝分享
12#
發表於 2010-3-24 16:30:27 | 只看該作者
学习了一下- z& O0 }2 P  L( t
哈哈哈
9 O& D9 L4 j  a谢谢分享
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