請問在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好

james65chan

有時LAYOUT有剩餘的空間可以放電容，
請問各位先賢在加電容時，使用PMOS好還是NMOS好
7 W4 }8 }2 a1 A# E. ~, X0 W
2 C% g$ `% z5 z1 nP/N MOS 如何達到穩壓的效果

shucai

从原理上来讲,NMOS还是PMOS作电容并无本质上的查别,因为都是依赖与gate做介质.至于具体的选择依据,我的看法是: 1)电容两端的结点间的电压范围--如果对容值要求不是很准确的话关系不大; 2)一般来讲PMOS会方便些,因为不需要构筑额外的well来处理sub的连接.

james65chan

嗯!那如果有跨壓noise 的 issue.
# D: y6 Q- N! n: {; n是否就應用 pmos 電容，
因其include 在nwell 中，
/ ?2 [! x( S: n, H- `+ }0 K' r) c沒錯DRC RULE會較大，影響size.
# N6 L5 \( D- R( f
* g7 x! o2 P) T" i# g; C/ V' S4 Y
, Z0 z: d: l$ y% ]所以說  在不考慮 noise 的情況下 nmos 電容與 pmos 電容  效用一樣嗎？

duanzy

个人看法，仅供参考：

用PMOS做电容的时候，PMOS的NWELL与衬底（p型）形成一个反偏二极管，当地线上来一个瞬间大电流，能通过这个来对mos电容栅极进行保护。当然，在栅极上加一个小电阻是常用的做法。
% o& O  ^3 S, F
但是PMOS的电容比NMOS的电容小，如果不考虑ESD的可靠性方面，单从电容滤波方面考虑的话，NMOS应该比PMOS好~

motofatfat

同意樓上的看法
以原理來看
PMOS 的載子 是 電洞
( k8 x* U7 i1 `& C) {# A: F8 BNMOS 的載子 是 電子
, P" L, Z4 a" f電子移動較快
# l+ ?' I4 x, V6 {3 k如果無其他考慮
" h- A, i. H1 W) eNMOS 似乎 較佳