Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 3431|回復: 5
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 跪求…

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2009-8-27 19:58:36 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
請問板上大大,lay ESD mos 有什麼須要注意的地方嗎? 感恩感恩…
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2009-8-28 12:41:00 | 只看該作者
正統的話 應該還是按照DESING RULE 去畫  比較不會有問題喔
% G/ `' G: u# H( d7 @  A; V  D希望這建議對你有幫助
3#
發表於 2009-8-28 13:34:20 | 只看該作者

ESD mos

1. poly width 選定
# ~9 i8 P9 ^! h( ^9 V6 H2. cont 到 poly gate 的距離4 `6 v% q- i' X8 u# [
3. cont 到 od edge 的距離) F: S5 V4 l/ }# C- Z
4. P/N mos 的距離' h% f- E8 {7 r6 v
5. ground ring width
: c: `1 V# M+ Y) l9 z5 o6. 是否加 dob-Ring
$ ?3 m7 M$ U6 i6 [5 c5 {7. P/N mos width 的選定
4#
發表於 2009-8-28 14:44:27 | 只看該作者
同意樓上ㄉ看法8 P+ ^& E# g: C
粉多時候是經驗值
' J/ n* m( t' V' s: U% `ESD mos$ t* [  M* Z4 A- t7 f" ^/ [0 j
1. poly width 選定5 Q' v: S+ L1 Y# d  Z) X! m5 i
2. cont 到 poly gate 的距離-------  通常是 一般rule  ㄉ 2-3 倍左右
1 ]- ]; i/ t+ C$ Y3 D3. cont 到 od edge 的距離  ------  通常和 cont 到 poly gate 的距離 比 是 3:1 or 4:1
( D8 a2 U6 n& ^% o; U( Z1 ]2 W4. P/N mos 的距離  y2 }' Q: ^% h# t4 x  ?& p  `- L0 D+ ]
5. ground ring width-   ---------  通常是2個VIA 以上的寬度
! y1 g$ [9 G/ j1 ~6. 是否加 dob-Ring      ---------  通常是一定要ㄉ( f& l0 l  V' c7 e" S- N- X
7. P/N mos width 的選定  E  ~/ x0 D  c- ^) g
   補充一點
7 F  t. _5 P( t8 d( z8.看製程 決定 RPO  or ESD LAYER ㄉ使用
5#
發表於 2009-8-29 12:03:29 | 只看該作者
還有metal線也必須注意 source 跟 drain 的metal line注意平均 還有最後可以用top metal做補強 top metal 較厚可以承受比較大的電流
6#
 樓主| 發表於 2009-9-4 09:04:32 | 只看該作者
感恩感恩…
" U2 q, I6 X4 h# Q2 |讓我又多學了一些相關知識了
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2025-2-22 05:02 PM , Processed in 0.170010 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表