deep n-well

familys123

我是剛設計rf電路新手，在設計好電路後layout時
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& p: b) q. ~' F2 ~* V% e/ J. ~發覺rf的mos最外圈有兩層，最內圈是body而最外圈是deep n-well

5 }& [: {* Z% V3 g. m. {我那時不知道那是deep n-well，而在layout時nmos那圈我都接地

而pmos是那圈是已經跟body那圈接在一起了，所以我不需要動它
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5 y* [% s8 x# g4 S6 v+ I3 d( v在我最近下線完後發覺好像不太對，我把nmos flatten掉才知道
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它叫deep n-well，nmos的body是p型，那我還把deep n-well接地
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7 l; c7 ?% ^+ ?: x) e2 h那不是有可能順偏，我電路中body都跟source接在一起，而我的電
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路中source又不一定接地，那這樣子我的電路很有可能不work嗎？
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deep n-well是一個電晶體配一個，還是整個wafer配一個，若是整個wafer
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2 l) c/ f+ X( r7 ~0 g# x一個的話那我叫出電晶體時怎會最外可以讓我選擇如何接？
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/ _! }6 D; _' \' r7 G$ W那deep n-well我該怎樣接才對？1.與body接在一起2.不要接(浮接)

  F/ H/ i( f2 ]2 o; @- ]' K3.接到最高電位。那種方式會比較好，而一般會用那種方法？
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0 D  y) Z' u% q1 A1 G而我所使用的是.18製程。

areutheregod

我把這一篇推上來，因為我也有疑問，
過去其它製程剛好沒有deep n-well ，現在用TSMC.18的model發現有deep n-well ，
4 \* \+ o/ F3 k上課的時候說過這樣把所有的body都分開，所以可以單獨mos的s和b端接在一起，
* K) U) h$ F# e) j: C5 I可有違過去的經驗，雖為了怕bodyeffect而把sb端相接，
; P" r% U6 m( h  B5 o, \可怕latch-up，所以把b端都接最負電源，
如今.18有這樣的製程設計，是否表示可以把sb端相接 ? 只要外圍有deep n-well ?
9 @8 G5 i3 B8 D有先進可以回答嗎?

semico_ljj

Deep Nwell就是为了实现sub隔离用的