中文--深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電

semico_ljj

深次微米金氧半電晶體之佈局參數對元件靜電放電耐受度的影響
---通道長度與金屬接觸點到複晶矽閘極間距的相依性
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' [: s' T+ E2 \* w一、前言
4 F' |: v' A3 d3 j# a$ l二、做為靜電放電防護元件的金氧半電晶體
& @# \+ L* N3 {# q6 v三、金氧半電晶體元件在靜電放電下之啟動原理
四、實驗結果與分析推論
五、結論
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alienwarejian

為何CE與RE的規範要以30MHZ為界限

sbm81tw

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k200630901

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balam2018

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sslin

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myokd

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