請問TSMC .18 rfnmos問題

squirrel316

最近使用TSMC .18製程畫layout
* Y1 b( H& N3 p& y; `使用PDK所叫出來的RF NMOS最外面那一圈是deep nwell所拉出的
而裡面那圈是接body用的 我都是接到gnd

因為先前看過幾位畢業學長的layout
/ y0 O( e1 A8 m3 x" w( |他們最外層那圈都是跟body接在一起 也就是接在gnd
, @2 M2 J- ?  P! R- v9 I; L0 e不過照理說那不是應該要接在VDD嗎?
如果是跟body一起接 layout起來是方便多了
因此請問一下最外面那圈應該要接到VDD還是gnd比較好
但如果接在VDD的話 是否最好另外接到另一個不是該電路的VDD
* @" e/ _5 n( }, o, T% |而是另外一個VDD比較好
, o) r# |' d( H" Z8 ]% k2 A$ t
謝謝

heshufeng

deep nwell不該與gnd連接。
' K9 b; M' c, S2 |) S, V( q; W1 Jdeep nwell 起隔離作用，它把它所包圍的nmos和襯底隔離，減少了nmos受到的雜訊干擾，如果deep nwell直接與gnd相連，而且你這個gnd很可能是與襯底相通的，所以不能其隔離作用。
但是如果你這個deep nwell 中的nmos是負電壓的話應該可以這樣畫。