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Elpida,力成科技與聯華電子攜手合作,針對包括28奈米的先進製程,進行3D IC的整合開發, ?8 z6 T; D7 p9 i( q8 ~, C' Q. f+ W
三方的合作將以TSV製程的開發為重心,建立Logic+DRAM的 3D IC完整解決方案
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Elpida公司、力成科技與聯華電子今(21)日共同宣佈,三方將攜手合作,針對包括28奈米的先進製程,提昇3D IC的整合技術。這項合作將會運用Elpida的DRAM(動態隨機存取記憶體)技術,力成科技的封裝技術,以及聯華電子的先進邏輯技術優勢,共同開發Logic+DRAM的3D IC完整解決方案。
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“Elpida公司領先業界,在去年首度以TSV(Through-Silicon Via, 直通矽晶穿孔)技術為基礎,成功開發80億位元組的DRAM,”Elpida公司董事兼技術長安達隆郎表示。“這項技術最大的優勢是它可以在邏輯與DRAM元件間建立大量的I/O連結,這樣將可以大幅增加數據傳輸的速率並且減少功率消耗,使新型式的高效能元件能夠運作。然而,我們需要可信賴的邏輯晶圓專工夥伴才能達成這個目標。與聯華電子的合作意味我們能使用最先進的TSV整合技術將Elpida先進的DRAM技術,與聯華電子的尖端邏輯晶圓專工技術,包括提供先進微處理器等系統單晶片解決方案的經驗結合。而透過TSV技術整合所有元件,我們便能加速研發的腳步,推動最終的系統解決方案問世。”
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2 ^: L" N; J: r' ~“此外,大幅提昇TSV整合技術意味我們需要成本較低的產品技術以及生產製程,才能應付大量生產的需求。”安達先生繼續表示。“與力成科技的合作則可促成此一目標,因為力成科技能夠在這項合作中提供先進的封裝技術。相信這項三方合作能使我們利用TSV技術提供多樣化的服務,讓客戶得以建立更為強大的高效能系統。” |
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