spi 如何認到LDD MOS

腳踏

spi 裡面有LDD MOS
要如何描述
例如
) L2 `8 f% l% }/ i5 [: N4 Z一般 的MOS
8 P% _8 x" Z. s9 d7 Y! s/ \6 i- IM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
! ~8 }& i" ~" r4 k2 `3 E
LDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　後面這裡要寫那一些
. O) G2 d! n1 w
& U  H! G" M' r/ P- O) @才會讓ＬＶＳ時認到ＳＰＩ裡的ＬＤＤ　ＭＯＳ

qetuo852

不好意思...我想請問一下
5 V& s2 q# @* L7 l大大你是在問問題 還是 分享??

. ?8 u$ a* q( F4 r假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1
$ P7 I: x/ E+ v0 ~; y- w
% a, F; J6 x3 P  k/ \9 j0 _2 iLDD MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  後面這裡要寫那一些

$ B0 d" O3 a, F還是...??

如有錯誤..請糾正一下~
ㄧ起分享學習，希望有幫助到
謝謝

腳踏

原帖由 qetuo852 於 2009-3-20 02:28 PM 發表
; a; H: I3 T8 e9 V2 i- m不好意思...我想請問一下
大大你是在問問題 還是 分享??
7 f, E8 x) y- A' L# v) k
假設 妳在問問題...妳不是已經把答案寫出來了??

' o' `* f3 N& P2 O$ H( g# m+ B" ?. X一般 的MOS
; M4 O+ v, ]" T) U" v: d" vM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1

% s  N4 w3 d' t% n+ k+ c/ E% wLDD MOS
4 i  F( e+ `) d3 T  }) K! C, DM1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1　/ LDD MOS  ...

這樣子的SPI在DRACULA執行LVS 不會認到LDD MOS 所以才會上來問

m851055

是否Dummy layer未繪製，道致未認出LDD MOS

skeepy

MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
LDDMOS是啥東東？DMOS倒是有用過。

m851055

一般 的MOS
M1 xx xx xx xx p vdd vss m1=1 -->PMOS

LDD MOS
2 G4 q  w, a7 _& bM1 xx xx xx xx LDD vdd vss m1=1

linger809

我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的，如我們的pwell一樣是運算齣來的。

wiwi111

原帖由 linger809 於 2009-3-23 09:35 PM 發表
7 v- n% M" A* o9 D我們現在做MOS DEVICE一般都會做LDD，因為為了解決熱載流子傚應我們都需要做LDD，但是我們都ESD保護結搆的MOS DEVICE不做LDD，應為LDD  DEVICE會降低抗ESD的能力，在netlist里是體現不出LDD的，LDD是經過運算出來的， ...

9 j! C  f, g& |$ i# b你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
5 S3 y4 `& M( W  U. _) Y這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
NA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLOBAL)那須加 .LDD 宣告
9 H. ^' q/ U: @; t& p
[ 本帖最後由 wiwi111 於 2009-3-23 10:04 PM 編輯 ]

腳踏

原帖由 wiwi111 於 2009-3-23 09:58 PM 發表
- y' o8 Z" ^; u! X$ R
) R5 t5 l2 N4 J6 `, f/ ^5 J: z你說的LDD 是防 bird peak 用的,就是 cross section P,N MOS
  n  d2 f" q& H3 ]7 c旁多出兩塊的地方,不是這問題.這是LDD MOS ok?
: @' F. i9 d0 }$ Z5 w! G( J這語法是對的:MM1 N3 N2 GND GND NA L=0.75U W=3U M=1 $LDD[NA]
* C+ S( c& ]$ v( D* MNA 是 MOS type. 但你在宣告時(即GLO ...

) |2 H+ ~" e: J- P; B
試一下在SPI裡加上宣告*.LDD
就可以認到LDDMOS
謝謝大大的幫忙

moneling

更正上一則的回覆~
: p6 @7 c% |& v2 o" w" a剛剛去查了一下 使用者手冊,發現有錯~ 趕快來更正一下 ^^"
請版大~幫忙把上一則刪掉,謝謝啦 ^^

1. 需要在 spi 檔內加入  
, C- U, U( @$ s& z' t) `*.LDD

6 L2 h; N, O) K5 r) V. M2 需把 spi 檔內的元件的名字加入 $LDD( )
  R& }0 l6 w% ~1 R( |, F+ e' Bex . M1 A B C D NMA $LDD(NMA) W=1u L=1u

; b& Y& }+ k! t, p# F3. lvs command file 裡也要做改變
以 calibre lvs 為例: lvs.cal 要把 DEVICE MN(NMA) 變成 DEVICE LDD(NMA)

LVS SPICE CONDITIONAL LDD  YES
, n& V, a9 x4 @' ODEVICE LDD(NMA) asy_nmos ploy_mos(G) diff_S(S) diff_D(D) PW(B)
; g' z# F: S" T, A" d( X
  i8 c' A# J4 F% D4.簡言之在 lvs 的LDD元件就是 MOS 的 Source/Drain 不能互換
  ==> 要注意在 DEVICE 裡定義的 S 和 D 的位置 --> diff_S(S) diff_D(D)
  ==> 它不像一般的 MOS S/D 是可以互換的
2 R6 D. c6 k. q8 v0 p  ==> 通常使用在非對稱 MOS
2 G8 f) Z9 @2 }! e: w4 {% y  在這邊的元件~也是製程上有LDD (Lightly Doped Drain) 的元件