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[問題求助] 如何減少RC效應?

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1#
發表於 2007-12-22 11:52:55 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我在畫BANDGAP的電路,不過畫出來去看他的波形和原本模擬HSPICE的波形差很多!# D$ z) u" v# s, P+ p+ l
& f2 z% S; n1 P9 n' L6 D# o1 L
所以在想說會不會有可能是RC效應造成結果.不過我不是很懂LAYOUT上的一些物理效應.
, u, V; U% V' A* k5 N4 \
8 f9 H1 |! Z6 E* b% T$ U8 Q) t4 m希望有人可以幫我解答一下.也希望可以知道在畫一個LAYOUT上他的跑線該怎麼跑會比較合適!
9 C" n- M% [% X5 U
( R1 B0 @9 F  E謝謝!
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2#
發表於 2008-1-11 18:13:50 | 只看該作者
沒給你的 BANDGAP 的電路 及 Layout ' |( O- C5 [4 ]. Q6 d
很難知道你的問題在哪邊# h  S5 n6 r1 V1 y$ _+ N

' u9 U9 t1 x$ B! z3 W若方便  請 PO 一下吧
3#
發表於 2008-1-16 16:09:58 | 只看該作者
還沒嘗試過劃混合的電路~3 i/ _$ F, c: \, B& \" p
. t; T, u6 M& [, Y( H3 J  R6 O
不過之前上課老師說盡量能把METAL能簡短就短~; v3 ^* V( u0 a4 }8 K8 X

: g/ j, ?5 Q3 Q* O+ p( m因為METAL帶著許多的RC效應
4#
發表於 2008-1-16 16:42:27 | 只看該作者
bandgap 電路如果有使用  BJT 的話,應該使用 同心圓 排列,如果電阻有比例性的話,應該考慮 matching 的交錯排法,對於 gate 接在一起的 MOS 也應該考慮 matching 的交錯排法,如此應該會有所改善,提供給你做參考.
5#
發表於 2008-1-27 16:52:49 | 只看該作者
儘量縮短彼此之間的距離,' B2 C& f0 D, V( P
這樣有助於消滅額外的雜訊干擾,6 l: F" O) W& q6 J% H! ?/ n
越短越佳
6#
發表於 2008-1-27 23:11:57 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

我覺得可以用一個簡單的方法; a: H1 ]  ~* F$ {& M2 X
就是把你的Bandgap的LPE檔案拿出來看- ^% L7 G3 i# A
把寄生電容排序一下
/ v' s4 f* q2 V0 _+ a再把寄生最嚴重的幾個點拿出來看
6 W' I' I$ K4 \2 d. v: t" d看看寄生效應最嚴重的點是在你電路的哪些地方?  F1 Y& _: o( M! W; a+ o, c- @, l
其實這些點只要出現在你的 Cueent Mirror或是BJT或是Resistance
# y0 j: X9 X7 h+ }/ D8 p; d; t或OP附近   相信都會對你的Bandgap 它整體的Performance; O- S' K' k: I# Z! @3 [! [+ D
造成很嚴重的影響- o$ y. H8 z) a/ ~% t* c
然後你再去想  到底該 怎麼重畫它  才可以降低這些點的" `0 p- ^' L/ W
Parastic Capacitance8 q. d2 ^" s* `) u0 M# M

& E* O* U5 V. l& U& ?  S' W" H[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-27 11:13 PM 編輯 ]
7#
 樓主| 發表於 2008-1-28 20:39:36 | 只看該作者
這是我的電路圖和LAYOUT圖.9 B9 d0 M& K8 d7 e; G8 B1 P

* L! Q& ?( F" B, E1 Y' G- h" r$ W* N0 p( ~/ v& l
我有想要看LPE,不過我看不出來他的排序.
$ K1 O* G2 o7 X' S, G2 c! W' S' C4 _; ?/ T2 V: u
謝謝各位高手給我這麼多建議~~

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x
8#
發表於 2008-1-31 16:37:40 | 只看該作者
看過你的圖了
: `+ `; |- q/ E9 E' d3 W1.BJT 上線太亂了   3條線  卻拉了很多不必要的線
5 F2 X/ @& D2 W% I( b% |( ^* _$ X2.在圖中間 CAP 跟MOS 間的線交錯太多了  l0 g5 }/ M( v4 Z+ a
3.電路圖跟 layout 是不符的 電路圖的 R 都是1K Layout 一看就明顯差很多2 H) n% F  K- `0 B: a
4.電路圖 也不是正確對的 0 E2 q2 S" ~, z% B( c' u2 B0 l
5.VREF 是哪根線  因電路圖跟 layout 是不符的  是看不出來的' W0 H% t5 U. ]8 L; _  _8 t- [
6.你沒說哪個 RC 不好   我只能猜 VREF2 w( Q0 t" g: }, X) ?; A
7.我猜VREF 是圖左上 R 出來後又分兩條線的哪根 就圖最上方的哪條線 6 ]- k. E" T3 ^: w
你就 R1 連到 NMOS Drain 的路經太長 R2 連到 Pmos Gate 也太長8 Y3 [" H+ f  ?& B
我認為你標 M2 的為 NMOS M1 的是 PMOS   Y8 @+ p/ |" M* s
若上述都給我猜中 哪你要 減少 VREF RC效應  就將R由左邊改到右邊 BJT 接到 R 的線也要改成
+ o: \; V: m* h# L4 @6 u" P  d跟現在一樣是靠近的   是不是這樣呢  給我說一下  謝謝
9#
 樓主| 發表於 2008-1-31 22:37:21 | 只看該作者

回復 8# 的帖子

1.因為BJT上一些元件是要接在一起的,所以才這樣畫.因為小弟也不知道還可以怎樣去接線.
8 n' o8 _' f+ L3 c3 U# i請問大大有什麼可以建議我去修改的呢?6 N. D9 j7 l( x+ x. ?0 P7 g" M

; h( ]" U  h! r' u( C2.為了要避免圖中間交錯線太多,是否要把整個電路從新排列過呢?2 B) E8 G% @* a# ]1 d& A9 P

5 J& o1 l1 `2 Y3 Q( u, K1 \+ \3.抱歉,因為真正的電阻值我沒有打上去.因為身邊沒有此電路圖的電子檔,, {  j% t' d* F* v) Q
所以上面的元件都沒有尺寸.- l: a. M: X) L( u6 }9 S  G1 ^* B

# _& k4 u8 w2 W! _; Z9 y' `4.電路圖不是正確的是指??這個電路圖沒有任何功能??) F& U2 C. ~. N

7 k% Y! R: T5 C+ J* d' K& n5.VREF是再電阻的第二根
0 i$ y+ {: q& `3 C& C+ ~! \9 d4 b0 B# t. i7 _  w
6.想請問大大,該怎麼去看他哪一個區塊的RC效應比較嚴重??" B9 |9 R6 Y4 l4 w9 h9 t0 Z. O- r
  所以小弟我也不知道哪一部分的RC效應比較嚴重.
+ j' s8 e8 G1 o我知道把它萃取出來去RUN HSPICE之後可以看到一大堆的R值和C值,
% A4 @- v5 I8 w$ h不過我不知道該怎麼去找那些是在佈局圖的哪裡.; z% U( l$ p/ l3 _/ m( q5 z

/ P) d' V4 E% ^7.我標M2的是 PMOS   M1的是NMOS ,路徑太長我在想把法去把它縮減., x( r1 b) j7 v2 S+ Q( A

. a; q* x3 S; z) Z
. d, E! H3 |: W9 n% M8 J3 s0 L謝謝大大的解說!!
10#
 樓主| 發表於 2008-1-31 22:40:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

想請問大大~~~~該怎麼看LPE檔裡面的電容排序??
11#
發表於 2008-1-31 22:51:47 | 只看該作者

回復 10# 的帖子

做完 LPE 之後    能過LPE就表示LVS也通過了+ ?1 x9 P1 q2 F0 \" F) B. G6 [2 a
這時候電路上 你想要看的節點   即使沒有打LABEL 也應該會有流水號/ |( f: J7 E( C/ e. e! H4 L
應該會是以 Hierarchical 形式 呈現
0 a, _  ~) K! Y0 }6 U
/ W% u/ y7 T8 A4 t  r- g$ o8 {以Calibre來說  會是這樣的格式; ^/ O% z$ D  V# ]0 F) I9 k! ?

0 w/ u+ p# y( F( K$ |寄生電容編號          節點名稱A                      節點名稱B     寄生電容值                        
9 o& f  r- K0 g4 J8 Q# g' h) R: ic000012345           xsdctl.xyctl.n1n4316       vss               7.66ff
9 q2 Y, L2 m; A! |' gc000012346           xsdctl.xyctl.rba0              vss                8.50ff
6 @$ s7 F8 a2 O6 j; o2 R....
, l0 Y8 D& ]8 W' f) M  f8 }
4 l4 U) g7 r* {8 l4 I, C這裡的節點AB可以是
9 `7 f# I: r- ?2 o5 ?4 }可以是某個點對VSS的電容
& d8 q# Y* b9 _  C也可以是兩個點之間的 Couple 電容4 u; a- C. B6 _9 k5 ^5 A, b- I

) m, P3 [2 Y( z$ t) f3 E3 k不知道這樣有沒有回答到你的問題
9 \2 ~7 A9 }: a如果你去點 你的電路的 Line  應該會出現流水號的節點名稱/ h. t! `6 y2 m3 l0 e1 ?
你再去看 LPE檔案裡面有沒有那個節點名稱 對 VSS的寄生電容值
12#
發表於 2008-1-31 23:00:21 | 只看該作者
抱歉一文多貼   只是我覺得兩篇文章好像都可以用同樣的答案來回覆 ^_^|||, ?9 e  W; q, d( K2 f. G
4 u1 @& y3 v9 Z) g/ s# {6 [/ y: D, S) S
我印象中 Calibre 有三種抽取方式, ?0 F2 M/ y5 G* p) n4 c

9 V+ x) D$ O4 c# o2 I8 S# f9 A1.  Lump
, j" p: O  r% x; e0 {1 h2. Distribute
/ P9 E0 v! r- Q! {% q$ j3. point to point
# J- q, x' X$ q8 e6 B) g0 b. \0 }  ~' _: t! J, v' j0 @+ a
選第二種  第二種是把 節點 用 RC  Pai-model(抱歉不會寫數學符號)的形式表示9 Y) }5 m% |% \1 U9 x* \  j6 @7 K) a5 l% N
所以會看不到該節點的 total 的寄生電容
4 G2 @0 C) @4 \% {! K; A1 `! a: M% X6 i! F, u
選第一種  會把 該點對地的電容算出來  但是電阻會被忽略
1 `2 |, p% M& S  @( V選第三種  除了 RC Pai-model之外還會有 couple電容出現.
. P" N" i  M& L. c: `# i7 a  O8 c* U8 c, Q" h& L! o0 e% j3 o
所以選擇第一種抽取方式 應該是你想要的單點對地的寄生電容  電阻的部份 自己看製程資料的
! q- T) M' b3 w. t3 {) F; j+ Q各層的 square電阻 自己model就可以了.% c2 G. ], T$ r6 z; N

7 d! r0 j. W% G0 P選擇第一種抽取方式 得到LPE之後   在把電容值做排序
- }' J& O3 t" X9 u1 T7 K4 U; Y! ^8 Rsort -n +2  lpe_file  >!  new_file
$ O: u' F; y( @4 K就可以看到  哪些節點比較 Critical了
  L% t, I" t1 Q& j& B6 S& ?- H自然就會明白 那些節點在連接的時候,  Layout畫得不好.2 R1 N. e( r! \4 g/ V# H

' I5 ^3 Z, t: i& S" k9 X[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-1-31 11:03 PM 編輯 ]
13#
發表於 2008-2-26 13:53:49 | 只看該作者
看完了各位的评论,很有收获,有个问题,在dracula中怎么编译lpe文件(command file已经写出,但不知道怎么运行)?
14#
發表於 2008-3-18 01:19:23 | 只看該作者
多注意matching還有少用poly來當導線8 ~- n# o' ]( Q$ i& z' D! j
因為poly的阻值很高
15#
發表於 2008-3-19 19:42:09 | 只看該作者
多謝大家的分享心得9 M, K  S! y  k. e! _
此類資料對我幫助很大! B- f- v9 [% ~8 Z; K# g% i4 F
幸虧有你門分享可以讓我學到更多
16#
發表於 2008-12-13 23:59:26 | 只看該作者
蓄短當然是越好;但考量到Noise或Floorplan,而無法避免時,還有些原則:
0 z) o! [- s" _8 w+ C7 u出circuit的線或稱Pin的width應儘量寬(可與Drain or source端可出METAL相同),! ~& M/ Z7 c+ C% n. o
出Pin後的Path以砲管型Metal逐步加寬!* U: w) F# u' }$ x( G3 l
並可用多層Metal來layout,並在可用的Routing Layer多層次間加入Metal(Overlap layer),
6 n" q# u5 U3 a) K6 H; a/ V最重要的是,在不同層次的Metal間,打滿VIA(VIA電阻遠大於Metal! 相關RC參數在Design Rule中有資訊)。
17#
發表於 2008-12-23 16:59:07 | 只看該作者
dracula 中运行lpe 与运行lvs基本一样.你可以运行一下,看输出文件.
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