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老實說,/ q0 ~9 |6 j: r a- K6 ?2 i+ B
你問的問題很廣,
% ]! y$ j+ b; x1 U會根據不一樣的條件,
! i* F9 I& l1 Q0 w而有不同的答案。
& S, _ ^7 u" M m; _, S$ X
, ?/ G2 L) r% W1 i, L0 \以nmos,body=source=ground的例子來說,
5 \2 `4 A; g& @/ F% t7 P9 H" H' F# F- a; E* ]. `; u' W) J
(1) 如果gate=ground,nmos turn off,1 w: P5 V: z$ T8 l7 L
如果vdg的壓差不會讓gate-oxide breakdown的話,
) s4 ?% C, ? s) u0 a+ _9 x( c一般來說,應該不會,& n$ ^& ?3 o" u! j) L/ w9 q
因為SiO2的critical electric field滿大的,
) W1 G% o1 f7 k3.3V device gate oxide還滿厚的。
6 W5 g9 O# ]0 U# ~8 m7 z2 evds最大值就是其寄生n+/p-sub/n+ bjt的breakdown voltage,
3 y/ U) d$ d$ ?! z2 c+ X, C: w這個值通常很大,) y- Q0 I. ]) P) r% O: G6 Q' G0 t
因為body=source=ground。+ L# Y6 S7 u- d" S& T: }. N. ?
另外,如果channel length比較短,
3 d- i. x" Y9 w1 e/ E這個值 "可能" 會跟channel length有關,) x" q8 _! B4 ~7 D
但如果channel length大到某種程度後,! D w) [8 s1 }4 L
應該也沒影響力了。 j0 _: f6 P! j% H6 D
% A% \3 w4 V! V2 s. \. J4 N0 y
(2) 如果gate=bias voltage,# u1 G5 L- C2 V/ I0 f
這顆nmos可能當current source使用,' Z1 D, P3 _( s! u& U
這時候就要考慮其hot-electron的效應,! s. {5 X8 ]3 T- q. M( x
因為單位面積的current可能滿大的,$ k; d6 O! Z4 t F7 P+ O/ t, ]
而vgd也不小。' K& u9 P3 f J' O% M% \
/ V& C' a& n9 b. A
(3) 如果gate=darin=high-voltage,
" ^' ~' }4 J' D. {/ R) D( u這樣的單位電流會大到不行吧!) h/ d7 Q& t5 X5 m' ^) p- B8 l0 G9 s
Id = kn'W/L * (vgs-vt)2
2 g3 l: u3 N' s1 }/ @8 ~+ q- o9 P, h. Q9 r; I$ q. L* I" j8 g/ ]
所以通常是case2會是要考慮的問題,8 K- b* F( e. ]; x
不過hot-electron就是可靠度的問題囉。2 Z, N' e& c w: i' D4 H% T
n.n |
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