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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.
3 i3 V  p) C7 \9 p) V2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。; a; H( R; B- T9 ?2 h
% H3 N( j  o6 {/ a# T( l
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處) N$ `1 h. K8 c) {) _0 t# M
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.6 \1 Y7 Q7 y  a3 {# l4 t7 y
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題5 e0 ?! x5 _5 U& l- W* f
) ^( W  \( V2 T# O5 o
OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
. y1 m8 a$ s' y+ V) S但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 " n# f4 M. K. D% w1 R: y  w4 ]0 h
1.DRC 檢查軟體運算時間++
( F" S* ?3 k( \9 H9 ^" n3 }2 ]2.RC Extraction 不準 運算時間+++. |0 a) S. y$ n% `! ~7 W
3.P&R 時間 +++
1 c- o6 N4 n* E0 t4.最重要的原因 製程良率 ----
# f  b& B) i7 n1 R6 z" p) Y& `, r4 g" U
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
( ?2 r: f5 U& h7 r: [- W當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多& F3 M! l4 N2 u* F
所以 90度角 還是證明他的價值存在& J) ?. ?7 F6 a3 a
- Z3 ?7 H4 A6 M% w; [
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況
) b3 j6 g* n8 ^8 R4 X/ \/ S而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下1 P. a7 x2 Y5 Z( p: p

! u- C! E& m9 U$ k" [0 ?. \" g  S; F得到以下結論! \% l- x; \/ ^/ x' I, o. ~) }6 u+ t
! q' U  I6 {! m3 d
目前的製程技術已經到哪邊了???
, y% W# F  J  X/ d6 }你所需要的製程技術是否需要???! F+ c% @' A" u/ p
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用' z: L, z7 x; P6 k5 V/ x, X* V
+ Z- q/ t* r* c. F
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
& H4 z1 Q3 ?3 q2 {% _' U+ G6 w, d" |5 B* R" e7 m. V9 g  B7 o
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強1 ^$ ^$ P7 _9 v, S7 t- Y
  H! k$ s, F& l' W7 |0 l( H( K+ d
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)4 K, a2 q3 K& C7 v( [

9 z; q/ Q8 e! M重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的( x" B" e; p( h2 c% j( M1 q
4 }# ], r" z/ n* Y
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下
' d9 s6 X3 k% ~& B1 j又學到好多事物% @5 M0 K& p, w9 Z
第一次知道layout可以90度以外' q6 h5 m! G. i- b) r) s
謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
6 k% }# m' P$ A; }9 H* }% \$ Q; q我同學做SAR ADC因為速度慢
( e$ v( \1 z& Q! X: N% ?" _繞線其實有接到就好了
* K( M- i- r( f5 G$ f: d9 I直角繞線或是metal太細幾乎影響不大
) b4 ~/ H- B3 E; b: [( I; O做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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