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就這問題跟幾個朋友討論了一下1 P. a7 x2 Y5 Z( p: p
! u- C! E& m9 U$ k" [0 ?. \" g S; F得到以下結論! \% l- x; \/ ^/ x' I, o. ~) }6 u+ t
! q' U I6 {! m3 d
目前的製程技術已經到哪邊了???
, y% W# F J X/ d6 }你所需要的製程技術是否需要???! F+ c% @' A" u/ p
DESING rule 都會注明是否可以使用45度角使用' z: L, z7 x; P6 k5 V/ x, X* V
+ Z- q/ t* r* c. F
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了
& H4 z1 Q3 ?3 q2 {% _' U+ G6 w, d" |5 B* R" e7 m. V9 g B7 o
我們可能拉一條線 FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強1 ^$ ^$ P7 _9 v, S7 t- Y
H! k$ s, F& l' W7 |0 l( H( K+ d
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)4 K, a2 q3 K& C7 v( [
9 z; q/ Q8 e! M重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的( x" B" e; p( h2 c% j( M1 q
4 }# ], r" z/ n* Y
如果對上述回覆有問題請多指教 謝謝 |
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