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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.
$ p% y. U3 p; G; k: s2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。0 u! X/ H  N! o# w# U) _* Q* x7 a3 v
! w9 T5 \) I$ d1 P0 K
Veteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處
/ g" H. a+ `5 v6 K) E可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.( p: r" A$ ?4 a3 U- ?% @
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題1 Z2 }2 n3 D1 p: I$ o+ n& a
: O+ ~. L/ {/ w) K
OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有& \3 V3 G3 G9 o
但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角
! G0 `$ @# Y) O2 ?1.DRC 檢查軟體運算時間++  L) T! x( k5 F0 _0 ~
2.RC Extraction 不準 運算時間+++
, O3 Q. H# K8 z/ C5 k1 _  n2 s3.P&R 時間 +++
* M. e4 x( Y) O7 M4.最重要的原因 製程良率 ----
5 a( `, w8 O0 L. O, P
/ E7 b5 N- M) Q8 l7 s( WCadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
) }! x) M4 z: T& a; C& r當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多/ K+ n, a% D( n6 M
所以 90度角 還是證明他的價值存在
& M5 C) a, L2 B, R: g/ j
; y: o( r: C- K至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況9 _) a+ C: \+ Q. E0 |* o' c
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下
  K* S% J. }8 y$ [+ }+ D6 i# p7 u' }( a9 J
得到以下結論
9 T4 i- D  B9 `' a. o2 B8 h/ Y$ q" D; ]1 t6 u3 a
目前的製程技術已經到哪邊了???+ p9 L+ `+ }' O$ h
你所需要的製程技術是否需要???: N( w  {4 J' {0 B/ x: G
DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用  d. h- N/ G8 G1 a/ ]# p* m

( ]+ l' t4 W* M  B2 t其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
) `* J0 B# [0 w9 u8 W' \
% J  ?: L! v. D7 q我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
: l1 g: |  N; B/ ]" h! t1 M  g! m- X" g2 `) N1 T- e* v
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
! Z0 ~+ Q) s3 t7 Y3 h; d3 m! o' n" D3 E! m# ~' N
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的6 K7 I2 g( I1 D9 m3 \9 @
! W8 H  W* a6 R0 g
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下+ L/ {. h; }3 _/ ~6 Y& O( M! V0 n
又學到好多事物& g+ R$ M: H3 i6 z2 r$ s0 g
第一次知道layout可以90度以外% N. U% @/ ~) P( T' [* `
謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦
1 \- _8 L5 b0 ?6 T* y我同學做SAR ADC因為速度慢8 U/ Z$ f% f3 J
繞線其實有接到就好了
% c/ t- x3 W6 u4 z, [9 x  B/ Y, N$ x直角繞線或是metal太細幾乎影響不大  f* \, \+ }' T/ R
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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