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就這問題跟幾個朋友討論了一下* d9 @: x; ~2 v2 U) d6 L0 ]2 e) R |
8 s4 P# x4 e6 w! ]" P$ F得到以下結論, N: j1 o4 p/ a$ H! a; a( j6 H
" n2 W% S) O4 ]2 u+ c7 ]3 r1 D
目前的製程技術已經到哪邊了???
7 d" k! S7 k" t K8 K: d' o% W你所需要的製程技術是否需要???
4 F e: ?1 o6 F. t: iDESING rule 都會注明是否可以使用45度角使用
+ }: @( m# b' }% e0 r* u) h7 G, h- K9 r. Z$ F7 m
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了
' P3 w# {9 |: p+ S: F7 {; V1 e% l7 q8 J% ~; R
我們可能拉一條線 FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
# r. c% q' H2 o$ m& E7 p
% v; Z4 R9 ?* N: p所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
/ B6 W) U+ L1 e7 y6 W& H! p; o7 ?$ G& x; W7 C6 W C
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的8 G* y+ Q2 H* r7 ` n6 ]
, g4 j! G' [$ T H& [如果對上述回覆有問題請多指教 謝謝 |
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