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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.* b, H) S$ h; O; R
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。8 `5 T. n' m) }5 {& [4 o* S! V

6 U/ }5 r* x6 C2 b& K" `+ g" x0 T9 UVeteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處/ n+ c" C+ l/ i; d# Q9 |
可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.* R+ u7 I  }, M# o" L
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題6 G8 K$ K: c" i% f1 s8 O, E% _3 @) x/ o
. j9 M" S9 ~2 V6 R4 O
OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有
- l$ A5 O2 K; `  m; F9 \但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 2 g$ v) \9 G& r, A4 |
1.DRC 檢查軟體運算時間++: c6 a* h+ E" Z5 V/ D0 G) e
2.RC Extraction 不準 運算時間+++2 S0 a) E6 S7 T7 _% K6 v) j
3.P&R 時間 +++: x$ A6 ]* r% _& X. K
4.最重要的原因 製程良率 ----" L" s% G4 ?# a
9 k4 W0 y! o- i: y9 B% }! v
Cadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0
2 [7 C; H" c# T- f/ D- Q' l當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
4 [  Z0 A0 r8 |  i, N& v所以 90度角 還是證明他的價值存在- w1 ?" X) x1 M& V1 W( I: z; m

) O  }# L  g! ~9 [3 `4 c5 l至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況- X, i- c+ D0 V
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下* d9 @: x; ~2 v2 U) d6 L0 ]2 e) R  |

8 s4 P# x4 e6 w! ]" P$ F得到以下結論, N: j1 o4 p/ a$ H! a; a( j6 H
" n2 W% S) O4 ]2 u+ c7 ]3 r1 D
目前的製程技術已經到哪邊了???
7 d" k! S7 k" t  K8 K: d' o% W你所需要的製程技術是否需要???
4 F  e: ?1 o6 F. t: iDESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
+ }: @( m# b' }% e0 r* u) h7 G, h- K9 r. Z$ F7 m
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
' P3 w# {9 |: p+ S: F7 {; V1 e% l7 q8 J% ~; R
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
# r. c% q' H2 o$ m& E7 p
% v; Z4 R9 ?* N: p所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)
/ B6 W) U+ L1 e7 y6 W& H! p; o7 ?$ G& x; W7 C6 W  C
重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的8 G* y+ Q2 H* r7 `  n6 ]

, g4 j! G' [$ T  H& [如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下5 c9 l/ x# z. M
又學到好多事物
6 _% J/ d5 o* V. S& a第一次知道layout可以90度以外
, ~! @8 o5 |# Y2 U謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦3 l) v# f0 [! ?: h% }7 I
我同學做SAR ADC因為速度慢
* D: W) D7 ~( H7 O4 w" D' ]& T& i繞線其實有接到就好了$ h8 m* G, P" R3 g& H9 }
直角繞線或是metal太細幾乎影響不大/ _. e& i7 J! _# L+ e
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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