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[問題求助] metal走45度角有什麽影響

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1#
發表於 2009-5-1 07:35:08 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位大大,請教一下metal走45度有什麽影響呢?謝謝啦!
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2#
發表於 2009-5-1 16:31:02 | 只看該作者
1.減少銳角以檢顛電場強度.. ~9 p; ^0 y4 m1 V
2減低轉角處的電子遷移,增加可靠度.
3#
發表於 2009-5-1 22:23:07 | 只看該作者
走線距離變短,RC delay相對變小。
4 V$ U9 R7 t6 t" `" y+ _: X  |; t8 ]; M* X
5 a9 e( E% @8 O+ IVeteran
4#
發表於 2009-5-2 15:54:01 | 只看該作者
reduce current density,減少電流過度集中在轉角處
+ Z9 @5 r2 b* X1 C可提高metal 可靠度 .....
5#
 樓主| 發表於 2009-5-3 11:57:51 | 只看該作者
謝謝!!!metal走45度對作mask有沒有影響呢?
6#
發表於 2009-5-3 19:36:55 | 只看該作者

回復 5# 的帖子

没有,可以用135度转角尽量就使用!
7#
 樓主| 發表於 2009-5-3 21:59:45 | 只看該作者
这么说来,45度角很有优势嘛,为什么在core cell中很少用呢?各位大大,帮我解答一下啦,谢谢!!!
8#
發表於 2009-5-4 16:27:24 | 只看該作者

回復 7# 的帖子

在自动布局布线中,工具一般不支持
9#
發表於 2009-5-8 16:53:31 | 只看該作者
因為core cell本來就是用在處理digital signal, 結果不是0就是1, 不會有電流考量.4 Y& g" p3 M( m4 u& b
使用在APR如果timing model不準, tool會自動加buffer, 這也不是metal走45度角就可解的.
10#
 樓主| 發表於 2009-5-8 22:15:01 | 只看該作者
謝謝大大們的分享,感激涕零,在這裡真的能學到好多東西哦,尤其是我這樣的新手。
11#
發表於 2009-9-25 11:18:06 | 只看該作者
謝謝你們的分享  讓我學到很多  之後就LAYOUT就可以試試看
12#
發表於 2009-9-25 11:37:39 | 只看該作者
只要你可以避免OFFGRID 都沒問題& H6 f. f  r+ L
( I: P4 z6 |6 m, H, ?- |
OPTION  DISPLAY 裡面的  X Y 的spacing 大於 0.001 應該都可以 過  這也要看製程廠提供的RULE  你可以試看看
13#
發表於 2009-10-1 11:27:16 | 只看該作者
尖端放電  在現在的process  好像比較不會有" l" d# A$ u0 I% X( s- f
但是 45度斜角  有時是電流的關係
14#
發表於 2009-10-3 01:01:57 | 只看該作者
45度角 # O! I& W1 d5 L6 C2 @
1.DRC 檢查軟體運算時間++
, n! P% W$ J: L5 y: _, Z) Q2.RC Extraction 不準 運算時間+++! p3 i8 b! |( N- J9 N4 e
3.P&R 時間 +++4 x- d( Q2 `& }* U3 e$ @, A5 {/ g$ z
4.最重要的原因 製程良率 ----- d  v/ \& z# f5 b  M' ~

+ m$ O$ u7 J9 \8 {* x; XCadence在幾年前曾經被北大的團隊騙去搞 X architecture 最後市場 = 0; @2 u0 x, B" o0 }+ [. b( O
當年提出一堆"好處"後來證明是壞處更多
1 F& N) P/ p0 I/ N所以 90度角 還是證明他的價值存在5 T  ^0 b; s/ _" Y4 K3 L$ S
* S5 `2 z3 k/ y1 ?. _' r
至於上述的有人提到電流的 應該是指寬 metal 在 Analog IP 中使用的情況" ]/ e# H& w6 k6 |" V
而且要求低階製程使用 ;在45nm以下使用非規律的pattern 都是在浪費錢
15#
發表於 2009-11-11 23:12:35 | 只看該作者
謝謝大大的分享,非常需要,GOOD!~~~
16#
發表於 2009-11-12 16:33:15 | 只看該作者
就這問題跟幾個朋友討論了一下( D; W; a3 H4 B  ~

+ L0 ~  H3 O; C1 |6 Q+ @9 {# A/ B" D  o得到以下結論0 Q8 `/ u/ z8 A

9 r2 q* G" ^- l3 i: G1 M. o目前的製程技術已經到哪邊了???
* J8 B0 I1 L  E& w你所需要的製程技術是否需要???
& v" P" @- B% R- [DESING rule  都會注明是否可以使用45度角使用
5 b2 |8 R, q0 R# T! {/ p( U$ Z  v& d1 y  y" M, h1 F% ]) ~- @7 ]. Q; V
其實越先進的製程跟我們所LAY的圖已經差異很大了  
/ h" o8 x8 P* i- Q1 R: k  Y$ W8 \9 j, h0 Z
我們可能拉一條線  FAB廠可能就用了好幾層光罩圖 去補強
/ z6 ~+ w8 Z# m5 T. Q6 Q3 F1 I$ D, u% ^5 x# C
所以45度角的使用上也不至於這樣在意(高頻部份 我就不清楚啦)- {5 ^8 ?! t; h" F; d6 g1 m- M

3 \3 p2 F5 p6 ^. d重點在於你的MOS對稱性 那是不會改變的, G' W# f1 f- f/ d- {9 Q
* t) I: x' o1 G* M8 H
如果對上述回覆有問題請多指教  謝謝
17#
發表於 2009-11-14 16:59:31 | 只看該作者
進來看一下: u; {! c2 \& s% X2 {, L
又學到好多事物" M- S2 t3 ]6 j5 a9 ~
第一次知道layout可以90度以外
6 s) m1 R5 h2 e  ]7 E, X0 c謝謝!
18#
發表於 2009-11-18 16:08:59 | 只看該作者
高頻電路才有差啦, b- Y: w& }$ h' a) k7 w. S# J
我同學做SAR ADC因為速度慢9 ?5 x: t" e* g0 m; C1 e+ s, d! L5 V
繞線其實有接到就好了
+ r5 i8 X) q+ J2 g直角繞線或是metal太細幾乎影響不大% i. Z* l6 V. A/ [4 b, I
做sheilding保護敏感的訊號比較重要
19#
發表於 2009-11-18 20:54:42 | 只看該作者
一般foundry的设计规则里面都会规定你可以使用的走线角度。90度应该更常见些,综合考虑45度的优势还是没有它理论上的那么明显。
20#
發表於 2009-11-19 18:43:14 | 只看該作者
在 IC Core 裡我不曉得, 但在 PCB 上 45度轉角 對降低 EMC 非常有效, 由其是在高速訊號下, 降低 EMC的產生, 試想 你以高速跑步 要轉灣時 如果90度轉彎 你會不會 偏出去?
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