how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
3 _9 C% E! }) x; `
0 }. [6 j, \. `  h$ r' S
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
  L  k; w% N# F7 F7 A
thx

' T8 n- ^) g0 W. r( ~9 E$ c" B  R[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻

以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
: X, ^( B0 ]; c2 |" z% V! [9 O以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  

參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
' C5 t! }. b% ?' OGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
GCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
1 @4 a6 T9 ~7 L9 t# k) hNormally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
7 D% G3 A1 K/ D6 N! J, w2 d9 K
7 Y) r* W- X; O0 s- T8 LFor ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
/ S/ C: o4 S, F1 t( X) f6 ^
# O# i8 a- G. @4 NBTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
" `- U  R. E/ B: Z0 IDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話  GCNMOS 比較好
3 H) z1 c, N" Q. f9 n但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
6 z3 V# K8 Q5 f: }2 l那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
8 ~0 N8 E+ ?9 E+ [) Q* x# w& F+ m8 p請問一下,關於GCNMOS ,
* N+ b3 Q* n/ ]5 \0 d: |0 r3 l* r* TPower 會動的很厲害的話會漏電.

. h) o. s6 m3 a  g是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
7 |3 \* P* v+ J' P那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

4 ^0 n7 Y/ Z) I: @, M
6 N, Q8 l* n( S5 d+ X8 n2 w5 x是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
What do you want to know???
1 H2 i1 K) G# D7 g9 R( ZGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
1 y6 H9 D, x. Z& @3 ]$ h  R3 YGCNMOS not look like your picture circuit...
& [- y8 p  S9 F: N. R* G3 rGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Nor ...

' f4 E5 O! v# Y. k8 b# I! \# w
7 h" M6 D9 i! o7 \; x4 T不知道你使用的是什么工艺？
% v* E( _# P$ `我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？

是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
# O- U: v( i+ k/ ]) y7 R: `
; d) `* W) c; [+ w延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！