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[問題求助] poly fuse 的問題

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1#
發表於 2007-7-5 15:27:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
不知道發這個版對不對... - c6 x9 j' y% K! [4 v" h* w# j

2 O  a0 V& b4 c/ O: R( H想請教版上有使用過 poly fuse 的前輩們..
: F5 N' e4 n3 g8 B. j一般在 C/P 時要確保 fuse 燒斷的條件是如何?? 小弟目前有個產品使用 0.35um process 生產,
/ j( H5 k" }; E# s# u. v& Q. s7 ypoly fuse 區域 W=0.4um, L=0.8um, trim 的條件為 5.5V, 限流 150mA, 持續 70ms, 不過ㄧ個4 N; z8 ]. i! o- p; k( r: I
lot 生產下來仍有 2% 到 8% 不等的失敗比率 (從 log 看起來是沒有完全燒斷)...9 }! M4 `' f& ?7 w- \

4 L' h' b3 I# a- [/ g2 m( X* R6 a目前沒有什麼方向...不知道該怎麼解決說...
/ m  q0 T0 N  F. m4 ~( @0 p3 T/ U3 V+ @1 q5 m) A: s9 ~
先感謝前輩們的分享..
5 w+ R7 v3 y# M2 V/ T9 x: i2 i0 }& y5 G( ]( k' `
以下是 Fuse & Trim 的相關討論:
1 }: d4 A0 @3 P% x2 l- }e-fuse?  
6 A) f8 x) x6 T& Q& epoly fuse 大約多少能量便可以燒斷? ( a8 B$ W0 h- T( |0 \. M9 X
如何判断poly fuse 已经blown  5 c+ W  S' x: s& K4 D% P2 H
有關poly FUSE的不錯paper給大家參考  . w' w, `0 u( s) N4 @2 T/ P0 y
Laser Trim
4 e5 B& a* J1 h" k: x$ ^做完laser trim後內部的電路被打傷的情況嗎?  
% e& O) |: N0 g6 h; rTrimming method?   / b# |! U2 E0 p) a1 l
Current Sensing Resistor Trimming!!   
$ {- |' o! S1 V请教做laser trim的注意事项  
) l3 J0 z6 G% P* v9 jCurrent trimming 要如何做呢?  - U6 m6 R. L% _6 F9 j. K$ e
4 q7 R8 n: T0 d  f# |' ^5 R3 F

0 n1 f& n: D* v5 }* N
  q6 q' y/ {( X; j% p6 X

& A  s+ q2 L4 Y2 M) ^$ H8 v. i. J[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:39 PM 編輯 ]

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monkeybad + 3 Good question!

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2#
發表於 2007-7-5 19:49:58 | 只看該作者
提示: 該帖被管理員或版主屏蔽
3#
發表於 2007-7-6 13:08:04 | 只看該作者
1.一般題高電壓是可行的,但須不damage device 為前題; .35 應可耐到至少 7V 不會 break-down 吧!?
& t; T( b* Y+ |5 @- Q6 b2. Current limit 放大些,因為初期的做用會因為 R 小讓 current limit 限制了stress 的 power ( I^2*R << V*I; 因此時的 V已掉落至很低的電位了!
1 b# e' S" I% u6 G$ g% Q/ ]8 ?結論: Current limit 放大至 CP 探針之限額內, V 提到最大且不會 break-down, trimming 的時間可以縮短很多!可靠度也可以改善!

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wpwang + 3 Good answer!
skyboy + 3 很實用的回覆, 謝謝..
mt7344 + 3 Good answer!

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4#
發表於 2007-7-8 23:07:08 | 只看該作者
poly fuse ...0 ~3 S- K* G+ }' G
我看到的fuse 很少有用poly fuse) ^* d& s4 ?& p& b4 c. v
通常是用metal fuse...
, ]+ }& N7 ?7 ^, Q' [; j$ \我以前看過有使用poly fuse
$ n5 T1 |6 g( }! b/ D1.因為 process 是 0.6um 所以電流較大(about 350mA), Y; J, t, \" Z
大部分的fuse 都燒斷了,但是還是有一些無法燒斷6 q$ s+ p) r% e% E' s5 ?, }( F
有用顯微鏡看(0.6 um 還可以看啦)+ r8 k3 [, @' n3 |* j6 T+ A. e/ x
發現到燒斷的地方形成一個節球,又短路在一起了
' G/ M3 w- {7 \/ B. i: M# r$ x/ k. B才發現到layout 的形狀也是蠻重要的; l/ U' f+ @/ A- V! A& L$ c' }5 R
最好要有轉角(電流集中)$ |- _$ I) [( P4 M1 L/ P# ^
2.fuse 的地方通常會開window9 V% ~7 j# B1 z$ R
......結果......水氣跑進去,原來燒斷的地方又短路了???
6 ?3 c" ?$ y1 S3 h, j* J8 q" H+ ^: Z目前解決的方法是,封裝前要烘乾一次........, K; v% }1 D0 X7 j, l" p" u6 p7 p

' P; [+ o9 u' t- r* H, \; F2 B以上是實際的經歷,僅共參考

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skyboy + 3 很有用的經驗, 感謝分享..
mt7344 + 3 Good answer!

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5#
 樓主| 發表於 2007-7-10 21:55:34 | 只看該作者
嗯..感謝兩位大大的經驗分享..# W- N$ i& E7 H! L
" F/ j. _3 q* N
關於 ssejack1 大的建議, 從過往的 WAT 來看這個製程 3V MOS gate oxide 的 break down 電壓大約都在 8V 上下, 雖然 WAT 的 spec low 是只有 6V 啦 (foundry 的 spec 都訂得超級寬...) ; K2 b: V' X- O! {1 D3 S# |
% A6 {/ E) @5 @4 S% i( Q
不過應該還是 ok, 所以我們已經修改測試程式提高 trimming 的 stress, 這幾天應該就會試試看...
6 R* v( I( c, Q/ D+ x* w
9 T" G  u3 z' x8 H0 ^9 M0 h5 f另外關於 kkk000777 大的經驗, 有個可以分享的是, 我們之前針對沒有燒斷的 die 去做 PFA, 剝到 poly 那層發現就像大大說的一樣, 燒的時候是有熔斷, 不過又"流"回去了 (foundry 的說法) 就又 short 了, 而第一次沒斷要再燒就很難斷了 (應是因為阻抗變大, 同樣外加電壓下的電流就又更小了)...
+ @' x3 P% o# X% T1 M( E" g0 @/ f
; h; j; N2 @5 h1 c- Q3 \不過 foundry 的人說, 我們的 poly fuse 被 power ring 蓋住, 是造成 poly 燒完又搭回去的主因, 建議改光罩, 關於這點不知各位看法如何? 我是覺得不太能說服我, 就算我上面沒有 metal 蓋住, 也是有其他的 field oxide 以及 passivation 蓋住, 應該也有一樣的問題不是嗎??
1 Y9 N7 c% M' ~& T/ f# l/ W0 e" b; |+ B4 b! x, g/ }
另外我再衍生兩個問題 (我問題真多.. )5 n$ v% V# M& @$ }: ^" C- l% d
1st. poly fuse 與 metal fuse 有孰優孰劣 (可靠度) 的分別嗎?? 上次有個 foundry 的人跟我們說, poly fuse 的良率是很低的..(??) 因為我們使用這個東西的經驗並不是很多, 一開始就是用 poly fuse..目前有新產品在進行, 應該也會放入 trimming 的機制, 想了解一下業界在使用 fuse 上的一些習慣../ N: F% i, |; d" a+ s! h
" f  s, j5 y4 N- v# {$ u9 f
2nd. metal fuse 除了面積較大外, 因為他燒斷時是"爆開"的, 會不會有 short 到另外的 pad 的問題?? 還有就是大大提到的水氣, 是否要考慮 package 品質導致日久也是會有水氣跑進去導致 short 造成的一些誤動作??  假如終端應用上是單價較高或環境較嚴苛的產品, 需不需要考慮這個問題??

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mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 2 感謝經驗分享!
chip123 + 3 不怕問題多!怕的是沒人討論?論壇吶!

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6#
發表於 2007-7-12 20:40:26 | 只看該作者
1.關於poly fuse 的方面,其實我們公司已經放棄此做法
' w5 D$ y6 U; @* q0 P   由於不是直接使用pad dirver , 是built-in buffer(nmos)( {  n- q8 T, j6 [# @
   算起來還真的是不划算說,由於並沒有量產所以良率並不是很準確. y1 f- L' t1 c, u0 M1 L1 ~+ s
   但是工程樣品的數據大約 80% .0 E  Q# g" O, d0 c
7 H, }, j, o$ N& x( d) q
2.metal fuse 的方面,目前的測試數據還算不錯,隨便都燒的斷
3 H$ g$ w! _9 I/ Q   不過要注意layout , 多個轉角比較容易燒斷,也不容易熔回去
  D5 Q: r+ v* Z& [/ @' S$ R  q6 z1 ~& n! h5 c9 R
3.關於開window 的部分,也不知道是誰建議的(好像是fab. 的人)
- r: m4 q3 D. ?6 q8 n" K   水氣就是會累積啊,真是XXX,害我drc 跑個半死....
  ^) ]* z0 g2 y" _0 l
$ h0 c, R5 m7 Z; ~4 f3 i, Q4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考9 p! B3 u1 s0 q$ Z: [* W; B
   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......
& ~0 M' }) I( g+ o' U# d+ I   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的: U/ M' a' [1 I- P" h5 x! t
   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),
' U, y; f% i& r   面積當然省啦.....
/ @+ J' J! F- _" B, C& z" d   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以: l4 ^( t  o  P% E8 v2 [$ }9 t
   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給3 C/ N4 z0 Q) P) [# X! D; s) b
   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看....

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參與人數 5感謝 +2 Chipcoin +5 +11 收起 理由
sam7186 + 2 感謝經驗分享
ssejack1 + 5 感謝經驗分享
skyboy + 3 實用的經驗分享, 可以嘗試..
mt7344 + 3 大大感謝啦!
sjhor + 5 感謝經驗分享!

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7#
發表於 2007-7-16 17:57:12 | 只看該作者
以前接觸memory時有使用poly fuse,修補率都有95%以上,影響修補率有許多因素,laser machine setting, fuse layout的條件都會影響,我這裡有一份Excel file有針對輸入不同條件如何選spot size與energy,focus以達最大修補率, 可發email跟我要

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wpwang + 5 人人為我,我為人人!
mt7344 + 3 學到不少!

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8#
發表於 2007-8-1 21:47:47 | 只看該作者
請問 poly or metal fuse 與 靠 MOS gate oxide breakdown 的 OTP 比較, 優缺點是哪些?
. x. j1 E  U% }, B' o- kThanks.
9#
 樓主| 發表於 2007-8-3 14:12:36 | 只看該作者
原帖由 kkk000777 於 2007-7-12 08:40 PM 發表
" l3 t4 M, U4 u0 `6 m% T4.其實我看過atmel ir demodulator fuse 的做法,提出來僅供參考
/ s. K) A$ Z5 m1 Z3 ?7 x9 |$ i   它也是使用metal fuse ,也有開window ,但是.......  k' G" Z4 C9 |7 p) B& ?/ z- b3 d
   它是pad direct driver , 居然把fuse pad 擺到切割道上,還比一般的
" K5 G0 P8 S9 G) t0 I4 ]- N. X* g7 w   pad (90X90)還小,(70X70)啦,(測試針頭可以容許較小的誤差),5 n# P0 d6 s' I8 z0 B1 e  G; ^2 ?
   面積當然省啦.....6 @7 H& s; Z9 w) L1 g* h! k
   由於不會受限於buffer ,所以metal fuse 阻抗可以大一點,就是可以
# q% I0 `  }, d9 d+ l3 s/ Y   長一點啦,yield 當然好啊 ,像我們跟fab. 沒有那麼深厚的交情,不給: j! `7 q7 b" k- l0 \
   我們這樣做, 真是差很多說.......可以試著凹凹看...- X2 p+ O/ {* P' g. O& a& }8 O8 n

- E+ R3 _; @& ?9 y7 x. z% K& c. _# z" A8 D9 t* `+ x
看到 kk 大的回應才想到好像之前忘記聽誰提到過有這樣的 "偷雞" 法...
2 v  P  d% N2 L) L4 u) _5 ^嗯...如果是這樣確實可以節省很多面積, 用 metal fuse 的話也不用擔心6 u3 w% z6 C% O& l" K2 M7 a: @
水氣累積的問題 (D/S 後 trim pad 都被切掉了..)
* H7 P3 B- |5 M/ j6 f7 q( k: ?- e9 Y8 w
不過 ATMEL 應該有他們自己的 foundry, 自己想怎麼搞都行...
9 ^! ~1 |! c1 W. E8 R手邊正好有個新 project 在進行, 看來是考驗我們跟 foundry 交情的時候了...
; K) D9 X9 P: n+ J- |/ `呵呵...
: d1 |8 A2 i7 }* h' A/ M
. B; D% ?, J, @; @  M( @順便 update 一下情報, 後來我把 trimming stress 提高後 trim fail 的數目& @) g* R' Z" `0 p' X
就減少許多了, 不過因為只測了一兩批, 這個部份還會持續 monitor...
10#
發表於 2007-8-10 11:51:15 | 只看該作者
請問 各位高手 ( t( M/ v2 x; v+ o" e! G
   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?0 }6 {) m' l6 K: M! P1 r9 e  G
謝謝
11#
 樓主| 發表於 2007-8-17 18:04:56 | 只看該作者
原帖由 wpwang 於 2007-8-10 11:51 AM 發表 : @. g; W) \% i, Y4 X
請問 各位高手 ) \6 @- A  l' p7 j
   是否有人試過 trimming pad 與正常pad 共用?  方法是什麼? 有哪一下注意事項?' C  f/ _+ P- n7 q+ C
謝謝
; ^/ [" S3 Y. `( t8 o
9 e1 R- G, I! y0 I- E. o
您的共用是指用一般的 I/O Pad 來當成 trimming pad 嗎?? 還是說一個 pad 可以跑信號) X. I# G% K. }+ p( l6 ]& x& B& g
又可以用來 trim fuse??
3 Y, l0 D( M9 z, e0 J) e( [; Z; h5 V7 t3 N/ R+ C7 ^
如果是後者應該是不行的吧...." c; }. J7 J: T  w. D
如果是前者應該也是不行, 因為一般 I/O pad 上會有 ESD 電阻, 會限制你 trimming 時的  [9 e' _( W1 [" {$ i
電流, 所以一般大概都是另外畫一個 pad 給 trim 的 function 用...5 T  P7 r* D  _

' t/ ~/ ~0 H1 G; |& k! X不知道是否有回答您的問題.......

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12#
發表於 2007-8-22 13:04:35 | 只看該作者
有一問題請教,一般 metal/poly fuse (漏斗型橋接)的 trimming 效率以常理推論 , V/I source 只要題供的能量足夠,均可以燒斷!" c$ I6 @8 ^/ h
最近有個 case 是 metal fuse , fuse 欲燒斷之橋接處呈 30~45 度橋接; 此形狀的 fuse 在trim 時電壓不能過高 ( typical 2.5V) 如超出個 200/300 mV 會造成trim完後又熔接的現像!!!..........真是無言..... : ]- _9 u* ?( ?& o& \' P
不知那位好心的大大可以幫忙分析一下可能的原因?* l7 C1 V  V9 p
先感謝啦!
13#
發表於 2009-3-6 22:17:43 | 只看該作者
不曉得您是不是問這個問題
" N5 A4 ?2 o$ j( S
9 H8 I- c0 [" Y9 E我們家有的產品 trim pad 是可以 bonding 出來的
; X+ C1 D5 A1 L3 d; ]$ ^. c) @' H" C2 @) c  v0 k
也就是 bond pad 與 trim pad 是共用的
( q6 f( C% H3 e3 s7 i
4 A2 e0 U1 j9 J# i[ 本帖最後由 redkerri 於 2009-3-6 10:20 PM 編輯 ]
14#
發表於 2009-3-10 21:27:17 | 只看該作者
CP 時請測試廠用氣吹一下正在trimming die,應該有幫助良率上升(要有開窗的poly fuse),
+ F, w7 t  r6 Z還有其偵測電路也是一個問題,因poly fuse,trimming 之後,可能呈open有可能呈高阻,且高阻trimming 多次也無用.
15#
發表於 2014-1-10 10:34:57 | 只看該作者
回復 3# ssejack1 ; J1 g5 W. P) W7 `" \

5 ]9 I, ]' f" {5 m8 O, _: u  c+ i$ J  n! a' ~9 G4 J
    幫助不小, 謝謝!!
16#
發表於 2014-1-10 10:37:09 | 只看該作者
回復 4# kkk000777 9 G! N+ Y7 m* O: p9 g

# w# Z; c: a9 |8 f; L3 [* ?9 R
4 e9 O* |( r6 _: z) r) e    封裝前要烘乾一次........很好的資訊, 謝謝!!
17#
發表於 2022-11-1 16:12:28 | 只看該作者
谢谢,学习了!!!!!!!!!!!!!
18#
發表於 2023-11-3 01:55:53 | 只看該作者
kkk000777 發表於 2007-7-8 11:07 PM' z( n9 {6 ]" f& T1 Y
poly fuse ...
+ U& W1 N( X6 z1 R( x我看到的fuse 很少有用poly fuse
2 }. g/ K1 n1 T( h( P' x通常是用metal fuse...
, X* K; P, C8 ]! X

$ l: l; p6 b% }/ {5 m( n3 F6 A. D! t0 u* o- I) w
很有用的經驗, 感謝分享..

1 f" X8 B% b  K0 x& F# `
19#
發表於 2023-11-3 01:56:26 | 只看該作者
Good question!1 T4 t: s5 Z5 h
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