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原帖由 semico_ljj 於 2009-1-21 08:38 PM 發表 " {, b* _: m/ o+ w( f, Z! O: U- J/ V
代工厂普遍采用“PNDIO + RC-GTNMOS”,不知为什么?当然还有只用Diode的。是不是这种结构最成熟稳定。
' g$ e- Q* q2 m# w+ r/ Z7 ~“gcmos的结果最弱”倒是不清楚,觉得gcmos开࡫ ...
. ~2 F; s# d) Z1 i* o如果只用diode而沒有其他的power clamp, 那麼在打VDD PS mode 就需要透過diode 的reverse breakdown, 這樣的話ESD的抵抗能力一定會只有幾百伏左右.: J& Z) N6 h4 G% r
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15k 是IEC61000-4-2是system 上的ESD 要求* T9 _- t( C! v) j# l
Air discharge 一般要+-15kV
" u9 }/ r3 w& x/ u K" `# C' I7 b/ DContact discharge 一般要+-8kV- z- W+ R2 d# G a( n
這個跟JEDEC/ESDA 的HBM standard 是完全不同
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[ 本帖最後由 ritafung 於 2009-1-22 11:06 AM 編輯 ] |
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