bandgap無法將壓差降低

layoutarthur824

近日在調bandgap
/ H2 o$ ]9 z, j3 S2 a) X) M4 K) A可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
.35製程
op db65
不知道毛病是出在哪  按公式try了很久壓差始終在0.4v
7 C) A8 q. ?5 r6 a不知是OP還是帶差出了問題??
請各位大大幫忙

( ?' ^( f8 h* n7 e
4 ?! {4 ~. e4 ?4 P6 ~/ a! @  d以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
bandgap voltage reference?
' a( W/ M! Y+ T4 X' A0 ?% p, nbandgap voltage reference?
關於CMOS的正負Tc
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
) q8 |, b. p7 r2 F0 j" Z請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
/ r" j9 g2 R. K/ f& O6 vBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作



$ }4 o0 I# T8 S) O* B% y" E. q[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯 ]

gimayon

如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
- f! r' p2 ?( o2 o0 z6 b7 l似乎提共正溫度參數電阻不夠
至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
! i5 \0 o' W  D2 v
如果是零溫度電流型  把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)

layoutarthur824

回復gimayon大大
我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
# |3 W& G! ?' \8 x( v& ~) `: e: n& e; mOP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
我才疏學淺  麻煩指導  謝謝你

gimayon

我所謂的一般是指 vref = 1.25

你還是秀圖吧~~

, Z  C  ?: v. K( f7 h' Fmos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref

layoutarthur824

TWO STAGE OP:
% l( g. V  K" o2 h  ?0 n
. P2 Y  g; n% x0 Y7 x3 k帶差:

, I, F6 R# L; E% P0 R大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
5 B- w- H6 g. G2 O1 f. U  J+ B確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
# X% q' S- Q& n% Q& ~! l
4 i* h, y5 t1 M* r# g9 V但是我的OP增益卻下降到很低
% ^4 O" ]& i+ z; B* S1 @( _壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
+ `+ w+ Y! B- D$ J7 r請問大大:
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
3 D# w# G4 H: R! E3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教

# X% g4 L0 [/ ]. q9 V" o4 {1 N+ @[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯 ]

gimayon

你這是什麼鬼電路?

% J4 ~0 A" C4 J& }8 y! \2 m下圖左半部是幹啥用的? start-up?

如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
% c, C  A7 a7 Z7 x
如果不是...還請指教是幹啥的...

你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧

finster

1. 建議你先把start-up電路拿掉
0 M4 j% m, N; }2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
3 C. ~5 ]+ j0 z% p6 M5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?

layoutarthur824

回gimayon大大
* P! Y. `1 _) P/ J3 ^% V5 u/ l下圖左半部是 start-up
正常工作時可以使我的MS3在截止
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
因為不少人也是用這種電路當bias的

回finster大大
. S* I! X4 _4 h! e3 i3 ?" u& U我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)
6 R: a4 d! S" i. S/ W. Q
  L% w) g' i, H9 X5 B我的bjt顆數比為8:1
我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
) i8 I) m+ X( \7 R1 j7 I. P  E我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u  l=0.7u

[ 本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯 ]

gimayon

通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?

根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點  就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
& U7 e4 _0 I0 X' ~: J' w; L4 {3 l
此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定
9 k" i3 _! Y$ F4 r7 `3 h
所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP

5 x+ d  x, {# t1 x; a因為上電瞬間  此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差
3 m) w# k* l6 \5 e6 A! X
$ j+ W: J5 b  ~8 Z" c- B加上 BIAS 也要啟動時間   所以應足夠 START BG
" D0 b) m7 U" Q5 |
3 G! S, L( M1 m8 ]1 i9 ?也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP  因為它的主極點在輸出端

BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化  RAZAVI 有寫

建議你看看 MS3 的流過電流對溫度     

.PROBE I(M*)

layoutarthur824

謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西

JUI

謝謝大大無私的分享，感恩