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原帖由 semico_ljj 於 2009-1-21 08:38 PM 發表
# ]# B. j3 g& d5 i代工厂普遍采用“PNDIO + RC-GTNMOS”,不知为什么?当然还有只用Diode的。是不是这种结构最成熟稳定。2 W* o- C6 w# D {) P8 L# ^- G
“gcmos的结果最弱”倒是不清楚,觉得gcmos开࡫ ...
$ k% v, Y. R5 N+ P: Y如果只用diode而沒有其他的power clamp, 那麼在打VDD PS mode 就需要透過diode 的reverse breakdown, 這樣的話ESD的抵抗能力一定會只有幾百伏左右., M0 |3 h5 |: t2 {2 N6 {2 [
& k9 h6 K; r9 T' T15k 是IEC61000-4-2是system 上的ESD 要求. y6 L3 C6 ~" s! w: T8 D9 x
Air discharge 一般要+-15kV% L P9 K6 B. H: w* O
Contact discharge 一般要+-8kV
( `/ |, j1 d2 S; q- t8 d這個跟JEDEC/ESDA 的HBM standard 是完全不同
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& t( M4 m: E1 N) K0 e6 R: E[ 本帖最後由 ritafung 於 2009-1-22 11:06 AM 編輯 ] |
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