how to choose the resistor value of gcnmos

scy8080

how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.
4 Z3 z( l4 S5 D
& z) i+ i9 d( U) p8 v4 y/ P$ i
in the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?

thx

6 B7 s- r4 N! l# G; i' k[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]

小朱仔

Sorry my engilsh is bad, So i write chinese
! W8 j; O4 E, D5 }* e# E一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
如果要用精準的話那建議採取poly電阻
: R4 i* d. T5 l
3 r1 g! o) F* a9 w4 _' I以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
; a& B  a: C" ?5 w
4 k" Q9 E/ K6 b參考看看囉~~

laurence

What do you want to know???
9 Z/ V( p7 B6 R- @& ~2 U6 i7 {! ~GCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
0 G) F+ S" s4 l& l/ ^1 dGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
Normally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.
8 _0 [8 V# Q2 ~8 z
8 @4 _3 o/ H5 ]3 IFor ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...
& `, x$ _- F* t1 Z9 j) m7 m, e
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.

ritafung

How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
8 T0 D  n6 V0 H% S; N% u7 `Does GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
Any idea to exchange?

cthsu1

小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別
大面積的話  GCNMOS 比較好
, n# G1 v4 }8 U但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電

bryansu111

請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
% V2 a7 A' U- s0 ]5 G, x那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

semico_ljj

原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表
" b! e* |' n  r請問一下,關於GCNMOS ,
Power 會動的很厲害的話會漏電.

是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??
麻煩請解惑 ,謝謝

. c4 }9 ?; W" e6 W3 A$ F1 ]
是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on

scy8080

原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表
) m7 U) ]" X5 ]9 `* J3 uWhat do you want to know???
  v% O- [  R( N7 ^" a' HGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
0 f% F3 v! H" u1 RGCNMOS not look like your picture circuit...
GCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
8 c$ X5 p' t  i1 C9 l: U5 c3 i8 z- RNor ...

6 h$ I, T: _$ n+ S& U
不知道你使用的是什么工艺？
我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
2 ]7 c, J9 ?2 c* C
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？

semico_ljj

GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！

- O6 t& m3 ^# H% \5 `6 x延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！