請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？

hyseresis

請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
  F' |( W0 O) ~6 E$ G有純MOS的ESD嗎？？
設計上有何重要的技巧？？
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
8 s: l9 \! X6 M! Q+ m  @( P- k請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝

semico_ljj

很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！

semico_ljj

"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！
7 x# a9 H# J1 }4 m$ _% Z9 D" @ESD设计时要考虑 contect to gate space！！！

hyseresis

感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?
' k& k' z4 ^% `3 O  i感謝

semico_ljj

一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！

andyjackcao

原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表
& p1 Q, I& P4 C" ~請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
8 D" n: I2 ]4 x* N  d! w9 ?就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？

請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
請高手幫 ...

3 T9 T" T) B( p/ ?( J1 e& D9 D
# I: o! T1 o. M0 t0 I5 E4 T我是这样理解的
contact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；
会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠

jian1712

contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um

ritafung

如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule
但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.

werx

通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題
3 C4 i4 v: u: ~8 F0 V$ j$ x9 m( e因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗
至於con to con的意義呢？
在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個
4 _: T$ ^% J0 h# M因為ESD電流來時又大又快
* I& |2 Q: P. _. c  kCON越多路徑阻值越小一點
/ ]* C4 H& G2 z所以CON TO CON通常取MIN.
9 P% Q1 ]' J6 @- \3 i
小弟才淺

semico_ljj

“所以CON TO CON通常取MIN”，right！

averyer

謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性

finster

一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看
而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉

tuza2000

说的好

0 [" }1 u0 b0 [0 y& G% ]
+ T" K3 b# M: e7 \！！！！！！！

wangdali163

poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。