BCD制程下的基準應該怎樣設計？

lynker

小弟想在0.35um_BCD制程下，設計一個bandgap，電源電壓為4V到9V，輸出1.25或者2.5V皆可。為了節省面積不想設計為純bipolar結構。如果是使用MOS管的話，我該如何下手啊？MOS管的耐壓大概在5V左右，而電源電壓卻是4V到9V。是否需要一個簡單的降壓電路為bangap供電呢？望高手們指教啊。

shaq

因為你輸入電壓範圍為 4 ~ 9v，先確定有無 HV 製程 再來考慮接下來的動作。
7 m0 n$ M$ q& D. e. y
[ 本帖最後由 shaq 於 2008-11-3 11:17 PM 編輯 ]

lynker

多謝指教！
" X5 a6 C! z) P* ]查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什麽？

0 |: J' l+ n  v* v6 }" [9 l[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-4 09:04 AM 編輯 ]

lynker

剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？

shaq

原帖由 lynker 於 2008-11-4 11:01 AM 發表
剛才看了下BCD制程文件,DMOS的阻抗小,HVMOS的耐壓大。那他們在應用上有何差異呢？

! `! D0 I8 }6 c3 Q0 ]7 c1 x8 Q. p9 F
. D$ B4 k- I8 P3 K. RDMOS 適合作開關（如： PowerMOSFET in LDO）以提升效率
HVMOS 就是應用在高壓的輸入、輸出端
/ b8 \4 I: ~3 v$ G8 d' N
7 c! o) B' v, n9 e若有缺漏，麻煩其他高手補足。

shaq

原帖由 lynker 於 2008-11-4 09:02 AM 發表
) U1 Q/ ^1 r+ T" M多謝指教！
查了下確有HV制程，不知使用HV制程要注意些什�？

! X" W# r- u8 P" S+ _5 G" \' s有 HV 製程的話，那你可以設計一個　Pre-regulator，將 4~9v 降至3v左右給 Bandgap 當 VDD 使用。

lynker

不知道我這樣做Pre-regulator，是否正確。
我是將幾個接為diode形式的bipolar串起來產生一個4V左右的電壓然後經過source follower， buffer出一個3V的電壓。用這個電壓為MOS結構的bandgap供電。
3 y9 n0 P2 p# Q6 U" Y大家都是用什麼方法實現的Pre-regulator呢？請指教。

semico_ljj

不建议bandgap直接用HV MOS做，因为HV Vth不是很准！还是把电压降下来，再设计bandgap

zorro

可否直接用Bipolar來做，因爲B的耐壓一向比較高，到9V應該沒什麽問題。

yutian

請問一樓的樓主，你采用的制程是VGS=5V、VDS=4V至9V的呢？
: G. U9 t: g0 n我用VGS=5V、VDS=18V做過bandgap和regulator，design時要特別注意制程對NMOS和PMOS的VGS的要求，因為不允許其VGS超過5V，tape out出來測試還可以。
+ ^' p( n* X+ I2 F7 I. q8 r直接用Bipolar的做bandgap我還沒做過，有機會交流一下。

lynker

回復 10# 的帖子
, E1 @# s& o1 W$ r我使用的是BCD制程，bipolar，HVMOS，DMOS耐壓較高，LVMOS則都是3.3V的。現在把電壓降下來了，用LVMOS做的bandgap。
+ C, m. M  c2 n" g- J# w以前做過一個LDO，是bipolar的，其中bandgap結構如下：
因為LDO要求不高，所以bandgap未做trimming，4V的LDO tape回來，輸出偏低，分佈在3.92到3.96之間。

enjoymartin

最好还是先做pre-regulator,then design a bandgap circuits.这样你选择的余地比较多了，其实纯bipolar的bandgap主要是功耗和layout面积比较大，但精度还是不错的。建议还是在电路中使用一些lvmos来设计bandgap,结构还是比较多的，看点paper就明白了