supply clamp and I/O clamp ESD

ywliaob

Supply clamp ESD need to  consider both holding and trigger voltage
- l1 {& S7 h5 l, }7 C) f/ yI/O device clamp ESD need to consider only tyigger voltage

請問這是為什麼?有誰願意解釋一下
感激不盡

m851055

I/O is trigger signal，Vdd node is constact voltage,so consider holding voltage

ywliaob

謝謝你的解答 總算瞭解囉∼∼
再請教一下
假如已經有對VSS與VDD的ESD 保護電路
還要需power clamp電路嗎???

skyboy

您的意思是否是指,  power pad 已經有保護電路, 是否還需要在一般 I/O Pad
: S8 N7 S" C" ~9 ?+ Y3 n" E裡做這個 device??

曾經問過 foundry 的人, 基本上是能放就放, 不然在這個 mode 發生 ESD 時要
8 D" d6 j- Z- M/ L" J0 p/ k全部靠 power pad 的 power clamp 線路來釋放 ESD 效果可能不佳...
% e# ^/ c: L9 Y5 }可以看一下 design rule 有沒有提到這段, 有些會規定 chip 單邊每一定的長度
8 ], I- Z! X7 {8 f. |/ r8 F) p/ kpower clamp device 的 width 累積要有多長...所以一般是除了 power pad 以外,
# p% @! V8 p- ^2 Z一般 I/O pad 能放都會放, 另外因為 floor plan 產生的縫隙也會儘可能塞這種 device..

寫了一堆, 不知道是不是您要問的問題...

ywliaob

foundry 提供的design rule 　是有規定power line 多長需搭配一個power clamp device
經過你的解釋總算比較清楚~~
感恩~~

scy8080

原帖由 ywliaob 於 2007-8-28 12:08 PM 發表
foundry 提供的design rule 　是有規定power line 多長需搭配一個power clamp device
經過你的解釋總算比較清楚~~
感恩~~

; w& P$ i8 [; O8 i* D: g  q如果fab没有相关的designrule,经验值是多少？

odim

foundry的guideline基本上是1000um放一個,
實際上的概念是任何IO對power clamp的metal 阻值小於3 Ohm,
而更先進的製程進一步規定需小於1 Ohm.

ritafung

請問你們使用哪一種類型的I/O cell設計?
* R- E0 E/ c* Q+ [3 f* ]
3 S$ |+ n$ m4 ~& Z* L1) Local cell (PDIO + NDIO) + RC trigger clamp
2) Local cell (GDPMOS + GGNMOS) + RC trigger clamp
3) Purely GGNMOS
) a: j9 i$ E  g, ?" E0 }
For RC trigger clamp, how much RC do you design? My company needs 4KV HBM.

cthsu1

看是哪一家製程
RC設計大於 100ns 小於 1us 即可
4kV 的話  NMOS 要化大一些

semico_ljj

原帖由 odim 於 2008-3-20 09:56 PM 發表
- S& o, W* g6 M- }# m/ ^foundry的guideline基本上是1000um放一個,
實際上的概念是任何IO對power clamp的metal 阻值小於3 Ohm,
$ }* Q% A" c0 @$ F# \% |而更先進的製程進一步規定需小於1 Ohm.

% w9 t, R$ n+ T
这个我也听说过，应该是比较好的经验值！不过power clamp的metal 阻值小於3 Ohm,比较难实现！

semico_ljj

原帖由 cthsu1 於 2008-9-8 11:15 PM 發表
. H. ~! L8 _+ K7 v看是哪一家製程
, X, W/ q# {1 U$ t3 tRC設計大於 100ns 小於 1us 即可
4kV 的話  NMOS 要化大一些

0 Y& y7 Z& U! T9 b6 n6 D( y) N0.5um process的话，到5KV没问题，0。35um以下4kv可能也可以！……………………

ritafung

我現在做的是0.13um,要4kV,而且是multi-power domain,有點困難...
6 F9 a- i$ Y5 n) t5 f' b' f+ RLayout 的要求非常高! 但是永遠實際上是做不到~~~trade-off~~

semico_ljj

0.13um,要4kV?呵呵，有点难，不过论文上说可以到5K∼6K，可以查查看！