請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
  T# K9 K2 |5 z2 Y9 ?0 W5 ?可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
/ x5 j' R0 |4 d- v7 h8 D/ }畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
NGR就是metel+cont+diff+np，
PGR就是metel+cont+diff+pp，
要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
* s& k3 F+ a. x* v: G! m% H9 Y( aGR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
5 @& h7 D# k5 _) H: g& ^再圍上一層不同implant的Guardring
以達到雙重保護的功能

例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR

& P+ z7 T0 s# ]8 i9 J必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
0 s5 o( h+ B, T# X2 }此圈Guardring必須加上NWELL
5 D% w% B/ e% V- o' z# s而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
9 }# Z% j% Q0 n: G
8 R3 i' [% ?% y$ H5 j- KlxRules(
  [5 V: M: `: Y# n$ ~% y2 Z7 c5 k
lxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
;
: g, s$ L0 v: |2 I/ g& o0 k7 c' f2 w; masterPath:
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
[offset]
; [connectivity])
/ P& T# g- G4 I;
; offsetSubpaths:
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
[endOffset]
# E3 c5 b1 n  J( x. @# d7 C; [connectivity])
! F9 l4 L$ L; Y$ m& Y% w) M;
; encSubPaths:
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
5 L- B. y0 N2 O* b8 R; [connectivity])
% R2 u( I% a6 B- ]3 `; L;
; subRects:
# n. k& L- @3 S8 l& @/ F7 r; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
; [connectivity])
;
; connectivity:
; q3 k2 _' t% ]0 @" F; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
. ~) B! l, u0 L% n; J, K& A& ~; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
( g! n6 M- ^8 b. x, {- o/ C# v' d; p; [refHandle] [offset])
1 Y% H1 [' Q+ L  f, }9 B- Y% ]" G;
;( ---------------------------------------------------------------------
)
0 L0 z! [5 v" N5 }4 T: ^
(PP_RING_ROW_1
: [/ t* i6 a# _% ?- s: N(("PIMP" "drawing") 0.46)
, w1 L* m9 o  V  e* ynil
+ B+ Q$ j4 L3 X0 Y- f((("DIFF" "drawing") 0.02)
* F5 w7 m: }" F8 D0 r7 d7 D! s(("METAL1" "drawing") 0.06)
( y- r0 X( ]% r' h. ?' y)
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
$ P4 s9 a1 w! l9 R0.28 -0.25 -0.25)
)
% r$ k9 R" k" W- c& e/ I* n: v* K)
..... any other MPP define..
..... ....
2 r) t0 s4 A% f  M8 Y# {1 P..... ...
+ s) d1 @5 Y- y3 f! _4 t0 O( }
) ; end MPP
% ]9 u  e+ c9 v.... other class
...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
2 u* i- p& |# M. X7 w$ O就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
, k$ d8 F6 l+ L5 }( P; ~，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
謝謝
~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
' ~; X5 j: D9 R' T0 |  |& SNGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

8 w/ l% D/ S; n6 @3 W' m+ c6 M目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
0 l1 r' n  D7 f  j) }7 @: C
- _$ M9 [) e; @" ]9 ]; G 共勉.

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
. G2 O+ U. n1 V9 @  ?
* \3 t) y$ W5 x+ v目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

9 u( R8 }. ^  M  p; I 共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
! N2 v; u" ]; t+ O* H+ c! R" `- O/ N. B直接ＬＡＯＤ就可以用了
ＤＩＦＦ
ＰＩＭＰ
  e$ f, ]. Y  g. \9 X9 SＭＥＴＡＬ１
% l: H! a; ^5 A+ rＣＯＮＴ
% M3 |$ ]+ c* t% ^ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱

[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
! s- A( n% Q$ l+ n9 f# u& L3 eload后如何操作？
谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。

% m4 o2 ]! p: w. Z! a3 m* V7 O5 |想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon
  x* q' z: U6 o
碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
  k1 C; K- g. H不能亂接