請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
, h3 `" _# X' x4 k6 ?# K可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
7 L) M- X- _3 S' p2 m) e0 n$ l如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
, i& \7 `' `9 O/ g0 |: a! S4 W所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
0 W  {  a5 n% T, S8 b3 VNGR就是metel+cont+diff+np，
PGR就是metel+cont+diff+pp，
7 @4 x1 a0 Q$ i) m( Y要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
GR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
% ^* x, W/ U7 b7 g再圍上一層不同implant的Guardring
以達到雙重保護的功能

例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR

* @( B7 Z- Z9 F- p  M必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
8 @7 K. @) t* ?& v此圈Guardring必須加上NWELL
8 ^2 S/ [; E4 {$ h' v+ U/ }而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
7 i$ G( q& M" a1 ~. u& @
lxRules(
7 s! ?; l9 L6 E' h: C+ i
lxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
;
; masterPath:
; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
7 j9 o3 O# n4 Y[offset]
; V8 J  r# ?( [; [connectivity])
;
6 q3 }; N$ T) y! z9 N3 ]6 F; offsetSubpaths:
( N9 }, Z- Y7 I8 E& I) c; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
5 p, q- I& ]6 ~% e' k/ r[endOffset]
; [connectivity])
;
$ D( g) n. W! C/ T; encSubPaths:
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
7 r$ G# L; b3 T; [connectivity])
3 p1 X3 Y+ I+ U' j: O' j) H;
7 @* N8 `& A1 L/ b1 {* A9 ^; subRects:
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
* }8 n" A. r3 W7 E[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
7 v9 t2 y$ _& {. S0 k; [connectivity])
;
4 j- r7 x+ i, x1 H; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; z7 {6 b: T5 K) r7 n2 ]/ c& p; [refHandle] [offset])
, B9 H  r8 m- r. C1 u2 w/ O6 y;
;( ---------------------------------------------------------------------
; I4 j' M: F; f: y)

(PP_RING_ROW_1
8 K7 O+ Y' Q- S, r" H7 O; e(("PIMP" "drawing") 0.46)
nil
((("DIFF" "drawing") 0.02)
$ v% |( o9 t  {# V  i(("METAL1" "drawing") 0.06)
8 [* h8 K; P& I- {)
4 j4 U' Q. x& X' V* V3 c( Z: S9 U((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
0.28 -0.25 -0.25)
$ a& ^1 f  O" l- v)
5 P# a- E7 o9 j. n)
..... any other MPP define..
..... ....
..... ...
1 N# I& ~7 Q3 `( Q( w4 `; C
# q9 Z7 E, U: o! e% f) ; end MPP
.... other class
' y( r: s$ R; N1 g" L5 d8 ~...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
/ S: L2 A: C' t% O+ U8 B+ W就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
謝謝
~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
, {5 q# G* M0 k& l8 o# G' S8 g7 {PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

" v: n( @6 u7 o4 E$ j7 K6 F目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

$ b' h4 @3 i8 R5 f 共勉.

yalon

總知 !!
3 \# _- {: `2 q: W2 `NGR n-diff 就須接最高電位.
& B! H" m" f& ]- E7 H8 y2 `PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
6 S# G8 m4 a, F" H4 H# o9 Y; z
5 x0 Y( p- P/ R$ {: _; M8 a- g目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
( m, E1 U( ^- ]/ x直接ＬＡＯＤ就可以用了
ＤＩＦＦ
2 s; h8 k/ D7 v- P+ G# ~3 z: M6 pＰＩＭＰ
3 v% e- c/ {1 J+ OＭＥＴＡＬ１
; k+ w0 i7 a6 w) H3 g* iＣＯＮＴ
& w9 i% ~/ [1 f" ?+ VＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱
/ B, H$ p# u0 a8 g- H
# }- ]+ P/ G2 E: L8 ~) }[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
load后如何操作？
谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。
$ ?) Z0 a2 n0 s% _- |- n
9 W& c! y( n% t; w! n2 |想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon

5 }: ~1 Q0 i7 [. h, l' y碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
3 H, ]8 L6 h' |4 e/ l非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
不能亂接