請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
+ i  y& i$ P: K1 G4 r6 Q  o7 n3 c可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
4 J& I7 {9 A- y8 h3 ~畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
4 b. |. N! l, b% j% s6 f; ]如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
* Y) \- i4 a1 u* g( f. {所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
NGR就是metel+cont+diff+np，
0 u% @4 c" k3 `PGR就是metel+cont+diff+pp，
. |: ]+ a7 e* i  j8 ~+ I要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
& m! D0 v( v& w3 ~GR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
再圍上一層不同implant的Guardring
7 b/ |: v" l2 p& O8 J: A以達到雙重保護的功能
. M( s( U3 n. T- b9 n
例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR

/ {0 M1 u. l; p9 r! @  X* ^7 o! R必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
此圈Guardring必須加上NWELL
6 C* R' z% ?" g! R而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
. D- a: r% l1 a( u不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
+ {% m+ V5 n& J$ E+ u( C. C在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用

lxRules(
+ f# V( I; \' v1 t: [8 \$ D4 e7 b2 \$ n" `
6 R) P1 S! O+ \8 x+ {" @2 N$ ylxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
0 l& j! o* F) f# a8 V( d;
$ |) \' T. C+ v" T/ |) H/ L; masterPath:
1 a: A4 H+ I. k; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
* z% r: `9 X: b6 d3 I( O[offset]
/ j  @% H9 d6 t% w; [connectivity])
;
& X9 Y: B+ s, x+ e' p: P+ n) C8 I; offsetSubpaths:
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
4 c+ g5 k7 L1 A& M& _. A3 u[endOffset]
; [connectivity])
; Y& H. U: q+ A2 L) {6 a7 k' s8 a;
; w, I# I3 Z6 o* O2 o0 f7 Y; encSubPaths:
% P% e' g: R4 q5 W: A7 Z% {1 A. M; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
6 h& C& r& R% }# P2 U5 O; [connectivity])
;
; subRects:
0 i& c& P' n# S( b  X; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
( @6 N" ?' l0 d" h[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
/ e" p. z: ~  c$ K9 C; [connectivity])
2 [1 D! O; h% F2 Q* l;
; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
4 K3 o: o$ ?# `% U; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
; [refHandle] [offset])
8 R+ b" q; C8 R;
;( ---------------------------------------------------------------------
. K9 B3 F8 V- N& U3 l. j5 C8 m)
+ C; o( x. Q# S' }3 P
(PP_RING_ROW_1
2 P8 J. \) X3 v) B( o(("PIMP" "drawing") 0.46)
2 h  n7 a6 f8 }( ?2 x+ Onil
((("DIFF" "drawing") 0.02)
(("METAL1" "drawing") 0.06)
; r: v' [  e' a& J8 T7 J: z2 t" O)
  w# ]. g, ^, ^* S- @/ R7 F; N7 \, S((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
- I7 Z7 y5 Q! ?0.28 -0.25 -0.25)
)
* l7 e( C" r3 ?  g8 @  z# s)
..... any other MPP define..
, e3 x  B  D$ O. @) f* ?..... ....
..... ...

) ; end MPP
8 D6 ]+ \% O) D' f7 P8 m3 U, v% D.... other class
* n! e' R) P& _' g/ ^& b$ @& g2 N...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
% R) a0 u# f2 q' z- |就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
& z( p1 q' z' h* y8 U; X8 d謝謝
( j1 \3 {8 W# W) v~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
- Q& p/ e; t5 D" H8 iNGR n-diff 就須接最高電位.
5 L2 o( |7 @6 W/ J, q- bPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
! h9 Y  M% E" o0 h% Z2 w
共勉.

yalon

總知 !!
) L: R2 R5 }: s3 eNGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
) m, R. I( h0 C8 t9 r
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
: A6 C) Q. e4 j! e2 v
* l; F% K. H1 G9 u 共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
直接ＬＡＯＤ就可以用了
ＤＩＦＦ
0 _3 G5 G+ D$ r! `ＰＩＭＰ
ＭＥＴＡＬ１
ＣＯＮＴ
/ T/ H1 i6 g" g+ Z/ d3 ^ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱
% O7 P1 y! r" b9 z% l" q3 o6 G
[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
load后如何操作？
9 z1 L$ u! E, h谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。

" y5 H# }( R! [7 D, g想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon

& k  [6 C& A+ g8 Q2 a9 c碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
. j9 g6 c& S9 S# [- z# r非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
" p, o# d% n" `9 I1 S0 K/ t不能亂接