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"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
4 Z4 q+ ^: ^8 p8 d這種架構就類似於Diode-connected Transistor
; i' \& t# @5 R( C0 G, E( J+ |! _二極體接法形式的電晶體
3 T i" |, J6 s9 \3 N這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值; U+ G$ U! E- E7 H3 }
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
4 d J/ P9 E6 ^. B8 W4 p: X公式的表示方法也不一樣
1 s/ F$ K- i f5 G, m/ |( W5 z操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的! i' Z* z1 Y8 i
$ H: C1 K, i a7 g/ H. p' I3 \而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
2 g( w9 X) I/ E5 ]7 w! W- I利用P-N junction的特性而已
1 k% n# x& s0 i3 {
& j7 u. A, t+ S9 E8 y. W/ @所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
4 V/ V" W) O: z+ X+ P應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
+ m/ R5 ^$ R7 A+ ~ J) v; o( J% [) d4 S& Q' T+ x
但是何者較穩定就不保證了# B X2 w( r# U" x% s
4 g: I% ^) N9 v- V0 o' v& ^& d因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
$ J) Z; F7 e' Y( h( Y4 N它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT |
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