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[問題求助] 關於CMOS的正負Tc

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1#
發表於 2007-9-3 16:09:34 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
' c6 i* \7 Q2 ]3 d之前我有下一顆BGR $ y. M4 t+ A" x: _  v
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
4 F" E0 |0 ^4 ]+ {' e8 t# V: ^可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
% P" y1 w! C$ Q0 yBJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數1 s: }& r* l" ^6 Q" c  N9 r
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂) j4 x" |5 o+ a$ A: F9 Z% ]
- N9 E1 A, K9 o
所以想請問一下大大~  - j4 Z* e. B5 B: B" y5 O
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路),S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
" l0 n4 D" R4 e% t% ~" v4 z這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?7 h- `) M; T! ~) q
6 d* Z+ m* [8 R9 ^; o& X" q
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:/ u5 O5 Y& z7 c) v! H, k6 e# j
bandgap voltage reference?
, O- k* d  q  t9 L/ C# E6 T' g' Zbandgap voltage reference?
: I/ H& L6 e0 w/ O( i0 O如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
0 C/ k1 G0 a1 K, \+ G. x& B# tBandgap 如何做到好的line regulation? 0 F  e2 s1 U2 M5 m4 K) Y0 _( p- _
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
$ y) u7 {) X! Y0 b5 q- G7 {3 Gbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成) , p+ i% d, \  ?; ]2 W
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
" i% d+ Q/ ^! r+ j8 N# u* J' m) Y5 o! J

$ R  E' s, k# i; B+ G& E8 l% p! G1 Z
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

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2#
發表於 2007-9-4 14:25:45 | 只看該作者
NMOS D、G端接電路 S、B端接地 
) U2 c7 y" E) W( N/ Z應該還是會以MOS型態動作吧 如此便是負Tc吧6 t4 L) S' d8 P) P, \
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
) ^* A: }, x, K6 ]8 K但是我不是很確定喔

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relax918 + 2 感謝啦!

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3#
發表於 2007-9-19 17:11:09 | 只看該作者
NMOS的G接地====>那就關起來了
7 B! M: l/ v: V應該是接成MOS diode的型態6 N/ F/ b6 D# B3 g  r( ?( y
4 U; p3 F0 m4 C7 W4 k1 q
re:relax918
7 s. Q! ]2 h7 _* w可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑
4#
發表於 2007-10-1 17:36:11 | 只看該作者
"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
4 Z4 q+ ^: ^8 p8 d這種架構就類似於Diode-connected Transistor
; i' \& t# @5 R( C0 G, E( J+ |! _二極體接法形式的電晶體
3 T  i" |, J6 s9 \3 N這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值; U+ G$ U! E- E7 H3 }
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
4 d  J/ P9 E6 ^. B8 W4 p: X公式的表示方法也不一樣
1 s/ F$ K- i  f5 G, m/ |( W5 z操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的! i' Z* z1 Y8 i

$ H: C1 K, i  a7 g/ H. p' I3 \而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
2 g( w9 X) I/ E5 ]7 w! W- I利用P-N junction的特性而已
1 k% n# x& s0 i3 {
& j7 u. A, t+ S9 E8 y. W/ @所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
4 V/ V" W) O: z+ X+ P應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
+ m/ R5 ^$ R7 A+ ~  J) v; o( J% [) d4 S& Q' T+ x
但是何者較穩定就不保證了# B  X2 w( r# U" x% s

4 g: I% ^) N9 v- V0 o' v& ^& d因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
$ J) Z; F7 e' Y( h( Y4 N它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT
5#
發表於 2008-9-1 16:00:11 | 只看該作者
一般做bandgap的管子实质就是个N结了,mos是将d和g接在一起,bipolar是将b和c接在一起了,这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。
6#
發表於 2016-5-15 10:00:53 | 只看該作者
為什麼不採用BJT類型的BGR呢?省電因素?
7#
發表於 2023-11-3 01:57:15 | 只看該作者
ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM1 Z6 N" G& t% `+ W, h
NMOS D、G端接電路 S、B端接地 8 K; ~% C9 c# z
應該還是會以MOS型態動作吧 如此便是負Tc吧
, D; X; {4 i4 n' R假如G端也接地的話  ...
/ L7 @, t7 g/ U; q
感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
2 @* L; N8 e  ~/ C$ `$ ], Q
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