請問一下Guard ring要怎麼畫

alsama3612

小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"

bairshinyuan

在此先簡稱Guard Ring為GR，
+ Z! X- `+ V( l& `畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp
5 q$ C# A) r* I* F如果是NMOS就打PGR，PMOS就打NGR
% Y) A: C. n$ t$ e/ r7 q3 O所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇，
" f( p* A* m9 ~9 nNGR就是metel+cont+diff+np，
$ b9 Y2 }; |+ }. `, @5 I4 ~PGR就是metel+cont+diff+pp，
# ^  `, x0 c5 j' }' ?2 o/ l6 d) d" l要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住，
GR的目的主要在降低雜訊干擾

ninesky

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
( s* q7 y# u' G+ E- a: C  U  `再圍上一層不同implant的Guardring
+ [# Q& k( S* l# {以達到雙重保護的功能
  H& p: g, w) L
( K, F  R2 u' T. g* T" {例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
再圍第二圈 就是PGR
1 u. p+ }  q/ T5 o" T5 c1 B
必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
此圈Guardring必須加上NWELL
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring
3 z- d8 G7 Q2 I& X: V不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

瓦片小屋

不同的工厂有不同的画法，应为定义不一样，所以要看工厂而定！！！！

yingzi07482

可以在tf文件里面定义，也可以自己定义Multipath来做guardring
0 q6 |. l, p( @- V3 b在tf文件里面定义大概格式如下格式，但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
% j" \0 t, E  K7 |8 S
2 T$ l7 x" `) o2 k+ L0 G" G2 PlxRules(

; X. y1 N  V* U/ T. k! e9 y" ?) ElxMPPTemplates(
;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )
+ W% q. g: H9 L( l  Y5 F5 F! K) L;
; masterPath:
' K3 d  k, x+ |  ?1 v. o; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
[offset]
; [connectivity])
) J  i) ~+ L; B4 j$ h6 y;
; offsetSubpaths:
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]
* e. E$ ?7 E- F+ Z7 G[endOffset]
" I: r! v6 b% b& b4 N; [connectivity])
;
8 X: v3 ~- m3 d  H7 y4 w; encSubPaths:
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
; [connectivity])
+ b' }0 b. u! {( ?" R6 s;
; subRects:
7 S& h. l# c- Y( _3 q+ _- u1 X# C; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
; [connectivity])
; T& C" O4 [) t. `0 ];
; connectivity:
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
( X( _* Y  E6 Z; [refHandle] [offset])
( _' P  t& k1 m( e$ z/ z+ U9 C;
7 P% j3 e+ `1 B9 w' }7 b% h& G3 \;( ---------------------------------------------------------------------
/ J0 v, [& K( E)
+ _3 w$ X8 I* t9 ~  m4 j4 e
3 @) ]3 f! g, u* t( O(PP_RING_ROW_1
(("PIMP" "drawing") 0.46)
nil
( Q7 g! P' r) Q6 J% O((("DIFF" "drawing") 0.02)
3 ^9 [( W& O) B  {. m% ], J, l' t(("METAL1" "drawing") 0.06)
)
1 h; v9 p5 n% V+ M% @((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
0.28 -0.25 -0.25)
4 Z# g# P  w( U. |: o)
)
( X4 V) |% j% V: C..... any other MPP define..
..... ....
..... ...

  p' G) k9 D& W& E) ; end MPP
.... other class
" O2 T+ c0 C% `! Z. B...

skeepy

要看那版的5033沒用，要5141版以後的，
5 A5 z$ a: F# J% ^# b就會有類似laker的auto guardring功能一樣，
# c$ o6 h# A, O1 f( A! d$ o圈選device就會幫你圍起來了，這功能很好用
，還可以打雙排contact當esd ring。

chenwhae

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫
1 F" R# Y. R! z) q) l: T  h. f謝謝
8 [. n$ H# S) ~) I~~~~~

ecalfs

實際請參各proecss DR中的Guard ring rule

yalon

總知 !!
NGR n-diff 就須接最高電位.
7 n1 ~, t) y! h) C% dPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
0 H6 z, |- J$ |4 y. i( h
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
' V1 |2 n# R7 b) n
) c0 G+ O& O  l3 r1 L& S 共勉.

yalon

總知 !!
" X; {+ }2 C$ j5 D/ O4 jNGR n-diff 就須接最高電位.
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.

目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.

共勉.

wolfhound

這是我自己定義Multipath用來做guardring
2 @! ~# c2 v+ E) O4 @6 N2 y* p直接ＬＡＯＤ就可以用了
1 M; j" A2 ~. V  h# C( T+ _( nＤＩＦＦ
ＰＩＭＰ
2 c; O  q" M1 L( ?  f" W9 u" }5 Y3 zＭＥＴＡＬ１
ＣＯＮＴ
) |; j' `- }4 G- l/ t# j2 {ＬＡＹＥＲ請設定成以上名稱
7 S5 |& M1 F* E0 I( T
4 K0 S& X9 r+ \" U% x: B' N+ H[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

summer_hello

直接修改techfile?
8 Q5 s4 t' v* d) B; O3 U! q/ zload后如何操作？
( O$ X* L1 W/ |* V2 y谢谢了
这样限制字符，有点不太好

summer_hello

大大能否不加密，改你那个文件要方便很么啊，十分感谢的！！！！

dendeicide

原來guard ring double layer 是這樣子，很感謝大大們的分享。

smilodon

以上讨论的GR 都没有问题，对于Analog来说，devices通常会放在完全封闭的GR里，对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时，很多Foundry都会要求Double Guard Ring。

想说一下大家没有谈到的问题，其实GR还会用在Block外，对于Analog而言，Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响，对于High Speed RF circuits，substrate noise 不能忽略，常常需要较宽的Pdiff（接干净的地），Ndiff（接干净的POWER）来收集Noise，不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构，而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

spring30467

最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD

8d8d90292

看了各位大大的討論，真的受益良多，謝謝

hungda50310

謝謝前輩們的精闢解說!!!

skygardon

回復 15# smilodon
7 ]) @0 Y1 u7 p- t, [) L3 {# q
7 }( R2 G' m8 N7 Q2 e碰到BiCMOS情況，npn管是否直接在外面接P-tap接地，N-tap接電源；pnp則外面是N-tap接電源，P-tap接地，這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢，請指教。如你說說，是否涉及到RF之間不同模塊，模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離，這樣子會得到不錯的效果呢。
非常感謝，請指教～

AIC6632

guardring是很重要的
不能亂接