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[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

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1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring8 K/ Q" y3 |9 ^$ [2 @" ~
可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
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發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,
# V  D1 R6 \3 F畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp- X8 q0 P) T, c$ B& ]0 }
如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR
7 T0 f" d5 L  i+ e( _所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,! {& `" \. w* X$ [- P7 b* d( e. ]
NGR就是metel+cont+diff+np,
* g$ S& S* X' U8 aPGR就是metel+cont+diff+pp,
/ h+ i: C. l* |3 T要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住,( r1 L% `  J. R, d% d
GR的目的主要在降低雜訊干擾

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發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍6 v) r1 V, B5 u, U0 K
再圍上一層不同implant的Guardring
- T( {4 ?' w# c! G以達到雙重保護的功能& c% \+ K  y) P, ~
6 }0 s% \1 F: |" p+ \
例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用): Z* e+ y  Q" t$ r4 O: K- R
再圍第二圈 就是PGR
- _% G- c% c% ^1 Q/ q/ Q( D' H& k' L1 p4 {- l1 v& ^! u
必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候5 Y( |+ E& l% d& T
此圈Guardring必須加上NWELL: M8 u) q- S6 e  Z5 _, _
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring+ S9 I5 ?) H1 L( @* I
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

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3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring
1 f2 p- M  \; D在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
2 F( K  ~" M3 W: }) i) }7 s# N: ^5 T
0 e' s5 @& [. d$ i) l- KlxRules(
8 |* I* N; b2 z! \/ t5 ~& L2 A) h# d, e
lxMPPTemplates(
& m& b' z. K$ x9 L& s5 ~;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )' l0 q7 u8 s% N6 o3 B2 ?
;
0 ^, A* W& {7 D/ P( {# n& a7 s; }; masterPath:
8 _* b1 r/ V' n8 c! N; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]
8 r$ l0 h+ t, D0 `; a, I% |7 t' {[offset]
- s0 r2 q7 K; C) ?8 x& V; [connectivity])
8 `- b6 X$ [. S2 |$ ~; j;
: O6 ]( E6 z+ O) e6 ^  j. w7 j; offsetSubpaths:1 V2 R5 J9 U/ [7 s0 p6 x* G: P
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]( |# d& {3 j- N9 K( `' G) t
[endOffset]
9 P6 T& ~) B1 q5 [; v6 E- k) C; [connectivity])% I( C; ?  Q1 y: h  N$ f8 F
;+ Y: \: J3 l% `# p3 F6 o$ C- z) N; t
; encSubPaths:8 ]. X4 J+ m7 U9 \: k  E3 y, Z
; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]% T* `/ |; A1 c! `
; [connectivity])
6 O+ \0 b: m8 D8 F0 ^;
2 ~4 q4 s6 @: c& i) a* g; subRects:
1 N( f+ }* |; z) b) J( i# t; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification], |- w) ?7 p) ?, j$ a5 q
[space] [begOffset] [endOffset] [gap]
+ |5 k  @/ T3 G7 I" h1 t0 }  O; [connectivity])
0 c2 z6 C0 r  L9 j;7 J+ [9 D6 r8 d1 Z  W8 y
; connectivity:7 p' M/ Z- R" ~
; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]2 c, z' d, F1 Z& _9 L6 l  }
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]
7 s7 \/ j! R6 f; [refHandle] [offset]): ?9 v8 d7 r5 e5 Z- N8 }: W0 q
;
! I: Y0 c6 A! s) N5 _) x;( ---------------------------------------------------------------------
. [; G* ~$ Y: Y% X)3 x: H5 J: A4 L, b1 \% c

& ^8 {+ \) v) ~# t$ s8 V(PP_RING_ROW_1' [" Z( R8 ^- a2 d6 F' v
(("PIMP" "drawing") 0.46)+ r- x9 ]( e( Q5 p- H! B
nil
; G% d& N9 o. r: g; x((("DIFF" "drawing") 0.02)+ T6 N1 j1 y% r; L& X/ J
(("METAL1" "drawing") 0.06), E8 D9 Z+ x5 M5 x8 ~1 k, u
)1 v; S& J8 ?6 c' |- [
((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil
; `. t+ U* d3 i0.28 -0.25 -0.25); F& [6 G0 }4 [
)' {! R+ v$ M% ?& b( \
)7 R+ }% G  R8 Z- Z0 x$ m; {$ }
..... any other MPP define..
0 d2 i, f3 t2 g$ g8 O..... ....
+ r( I7 R) f3 v* _( |: B6 o/ ^..... ...( k4 E9 \, I" G1 Q: E
! s) {  _" X# g; S
) ; end MPP
* S0 L5 j9 d  R( W# X.... other class
9 D/ }9 h* z; B  n9 ~" ~...
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的,- O9 d8 F0 p" S% o: P8 e/ m
就會有類似laker的auto guardring功能一樣,
% p+ i3 f' h. p' f圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用
. G1 e1 L4 U! P' Y: S1 ~,還可以打雙排contact當esd ring。
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫' V& Q$ R7 A3 M& H7 n5 Q4 }( i
謝謝2 K) R* [1 w# L
~~~~~
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!5 E! P7 f1 A7 I1 d% q
NGR n-diff 就須接最高電位.1 |, |4 S- O: z$ W- L
PGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
& {% ~2 A) ?, b! a  v) P* M3 U7 i+ s5 [( [
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
2 V# @; i3 }5 k6 ?; i, l( P4 k* w% {  E
共勉.
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!# a1 b9 Y; i9 A" j1 ^/ V" B
NGR n-diff 就須接最高電位.
* G# l- a( a/ ~% x; u" m. y) nPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.$ o$ K( P* e+ W' e0 A( V
9 @8 ]' K3 U' Y1 s% w* ?1 n/ }) S
目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
2 e  ?% G* |7 N9 o0 A% m6 n1 _; v1 S" h1 f) N* }
共勉.
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring: \4 C, e# [% y- p/ q# X5 f
直接LAOD就可以用了
! l, N% X; k$ Z- [DIFF
6 P: F. M9 e: t) V6 sPIMP3 {  H- }5 n1 u; K1 \% [3 b
METAL10 _7 }& f4 h" p. W" j0 ^
CONT9 p$ E' A7 ~+ q7 o0 q9 ]  v9 L
LAYER請設定成以上名稱, G$ i, u9 J7 g4 c9 F* i: ]
* _2 ^; ~" k( m7 {  R
[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

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x
12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?% u/ O. g5 J+ ]. T; u* p
load后如何操作?' ~2 _4 T8 Z+ x; }+ H
谢谢了( O2 Y' F! [! L( h' i/ [9 L
这样限制字符,有点不太好
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。/ M$ S' p  {" O' N: |2 \
5 r0 x% j) K2 N! |6 B8 m
想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

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16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon 6 D( Q+ h) @( }* G" c

/ G% b" T) I- s碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。
* I& x* Z3 X$ r6 _8 \非常感謝,請指教~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的
. @4 `6 L; n1 J8 N不能亂接
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