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讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, R, C' d) j: ~4 A0 d我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 h) h# f4 ?: Y! X3 E% OPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) b& T- J# v3 S% W
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. O0 K( ^' k. J+ W這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( k' Z* r" |4 \! w4 I, b* ~都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input " A& g8 }! v7 C8 p0 e
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 t. K7 K' z6 Y) |最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 v" w8 T I9 E% F, Z% g
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.) Y8 M* P' H, l- L9 U
6 I9 ~4 h# ]5 t9 Z, [, p; r, o i[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ] |
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