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[問題求助] 有關於hi V製程

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1#
發表於 2007-11-1 01:31:32 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
各位學長姐好; C9 l+ E% R, N( y& h6 ~/ `, T( [, n- r

% j. Y, u/ U# L" N" e5 a# a在最近剛要踏入IC Layout 的工作,但公司屬於高壓製程,所畫的圖百分之八十也是屬於analog,但是我上的課程裡是屬於較基本,製程
" \8 I6 `& @: H0 W8 E0 r) |+ T+ ~8 V- N
也是0.18,公司屬於0.6。在沒有接觸過的情形下想要先在版上先問問各位學長姐們,有沒有一些我在畫大電壓的的同時我需注意的一些地方,% R( h) W$ q2 J& _* U3 }

+ U$ |# _3 Z  X2 d5 U, w在工作時拖累一個團隊是我最不喜歡的工作態度,所以真的要麻煩各位學長姐了,先給個方向,讓我可以先準備,投入職場時先有個準備
8 J* z7 t2 x% d1 i0 B3 z( C" m+ c( m
: x# @5 I2 |3 Z7 T! {! u# a1 l還有一個就是屬於guard ring的部份,guard ring到底是防止Latch up 還是阻絕Noise 還有板上有沒有人畫過三層guard ring的,可以
/ s) W* j# n# X7 {# H
/ {% Q) G% E- V+ @1 L  |說明一下三層guard ring大概的圖層嗎
+ Y0 K- c0 \" b8 e, f
* P' b; O, `8 k* B' c2 K謝謝各位學長姐了
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2#
發表於 2007-11-1 10:01:44 | 只看該作者
我建議先把Design rule看熟,其實裡面就有許多小問題,在提出來詢問會比較有效率# U- s" o! u( m3 J' x+ b* [
- m" Q% O; n& x1 S. E3 j
guard ring 是阻絕Noise + y2 `8 G- N4 J2 e/ D: ?

0 h" O7 k& r; A9 F+ d一般2層就很多了,3層你可以跟Designer討論,一般Analog部分是要跟Designer互相討論才知道需求在哪
3#
發表於 2007-11-1 14:16:56 | 只看該作者
關於guard ring,應該是防latch up跟抗雜訊都有,我聽過2個designer說法
- `8 V1 b- O. x; ]一個的說法是,由於mos在動作時會有一些電子電洞之類的東西,游離出來
. N4 S: `2 s8 A) x/ `0 j8 _,包guard ring的目的,就是以相反的型態去吸收那些電子電洞,. l% l" Q* U, p+ S5 @7 l# V
一個說法是mos跟guard ring的架構,會形成一些pn介面,變成類似diode或1 ^; o8 r- X7 o* f6 ~' u" L
bjt的元件,不過它的等效電路圖,我不太會畫.! [! d8 A! v' g4 n9 ^" ?& Z
以上是2個designer的說法,如果有誤,還請先進指教.
4#
發表於 2007-11-1 21:06:09 | 只看該作者
这两个作用都有,3 s/ a6 k& N) I
那个图我也不知道要用什么话,不过拉扎维的那本analog design 上好像有讲,
2 I7 V2 a% _4 k6 \* t/ B% w6 O楼主如果很想知道,可以看看那本书
5#
 樓主| 發表於 2007-11-2 00:03:58 | 只看該作者
謝謝學長的回應囉,不過我也是在等工作時拿到Design Rule 拿到在來看看自己是否有什麼問題
6#
發表於 2007-11-2 10:10:14 | 只看該作者
高壓要注意NBL這個LAYER,有ISO_NMOS要特別注意畫法,
- A2 P5 k: X' u6 ]; ]$ ]高壓的NMOS以及低壓NMOS各有不同,06U12V嗎?建議你可! E# }( N8 d6 {7 M0 D
以調你們公司以前出過相同製程的案子來做參考,這樣就不會
$ A8 A. o9 ~) ~1 ~8 a4 m$ |那麼有疑慮了,DOUBLE GUARDRING就夠了。
; I  R; h. Q% h' ^. u! d忘了說,若是非對稱的高壓DEVICE要注意製程偏移問題。
7#
 樓主| 發表於 2007-11-3 00:10:45 | 只看該作者
HI v製程有沒有可以邊畫邊學的電路,一直有人說畫OP會遇到很多的問題  i  ^4 J, G$ _7 \
$ e2 m9 w4 U+ F' t' a5 y! x' w
可以在問題中學習,但是HI V 是不是也是一樣畫畫OP哩,還是有其他的電路% E6 l5 y0 h8 m4 i* F

4 V& z4 ^- r- h: {; E# P# a可以邊做邊學。3 t0 D& {  x  j8 q

1 S  g. R4 p; z0 p5 x7 x謝謝學長的幫助
8#
發表於 2007-11-3 07:07:46 | 只看該作者
analog circuit不是只有OP喔,廣義而言只要是信號連續時間(非digital)的變化,就算是analog的一種。
# [! K6 y6 P7 V  k; r
+ \5 T* n2 e6 Y6 F" h- e# U至於high voltage是指device(如 Capacitor、Diode、NMOS、PMON.....)為high volage製成,非只是有OP circuit。
9#
發表於 2007-11-5 19:41:14 | 只看該作者
latch up會造成等效於SCR,guard ring這些作用都有,但是是不太一樣的東西,也要製程有提供那麼多層。
) s4 z& b2 F, t) c+ V1 W" `+ L( `# T4 k. U, f, E
mos動作的時候產生少數電子電洞這算是少數載子也就是漏電流吧?不知道是否高壓的雜訊與普通類比的相同,低頻雜訊我所知道的除了white noise以外,flick noise主要是由於電子在通道表面那邊產生的東西。圈起來主要是怕被其他地方影響到,對於該區域而言其他地方來的不明訊號就是雜訊吧?不過畫多層點至少可以防止電壓去擊穿跑到別地方去。  O6 n5 m( x) M8 ]7 v, X

; P: d% J( e9 v( o# l  J[ 本帖最後由 ianme 於 2007-11-5 07:45 PM 編輯 ]
10#
發表於 2008-3-27 15:05:20 | 只看該作者
guard ring 通常用來隔絕noise ,但是如果使用在一個mos上做guard ring 又當sub點的話又可達到防止latch up
0 R! M5 L( I; N) ?要看layout 時運用了,但是用太多又會佔很多面積哦,這是要考量的
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