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原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表
& l7 q3 v0 D4 `$ I( j B% C至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有
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" y+ s8 W" c, f& Y% F, s再回答一下問題1 ?5 T2 J+ `+ K6 U
在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了
|- m& G& w& E1 @再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧
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最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的2 N* Q; {; ?4 }5 _9 c7 l* Z
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關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過
" H9 y, k6 O% t比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重
- I* Y" G4 i6 h! y# x% x l6 Q! U( p在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100) _8 s, K, h8 {" B8 s. w
在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:64& ?1 O. ~0 t, \6 w
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關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size* j2 U0 b5 d: u8 D
如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何7 O4 z& @- o$ l7 n% r2 m% [' r9 _" n
% K' {" u0 i; F至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應0 |: l$ Q5 h2 C8 O: e8 t: u' F
因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的
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至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設$ v+ S/ A: S& J: X5 Y1 F
只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
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