op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過
$ b! Q+ `0 a, w/ ?
依然還是一樣的錯誤訊息！
$ g& v: `- y* X' b* X8 e& m
# [' n4 m6 m$ o  c1 X9 _; aLATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
; h; x  ]/ q" d# @9 j這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
4 F3 m2 |  o+ i  S& S7 D" d  r我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

類比電路果然難理解

& X" z2 }0 s; S, R+ R9 x4 \希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
3 L, `7 ^$ \0 B- c! l在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
$ E! o- {9 e4 o9 f5 {
4 R" M2 F9 K* n* z  {這個我有點看不懂是什麼意思！
) M) B8 u. B0 _! P# Z' B可以在詳細講明白一點嗎!!!

OD是什麼意思？
" K0 q% S7 L% x# c: v0 dP-well不是nmos的p基體嗎？
2 o; i4 V5 t4 L7 U
不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
20um半徑圓內打幾顆P+_contact
' a+ }. ?) p, z1 P' P就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion

/ k0 t, t; f1 w, m# |+ P( U在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
' N/ Z$ w, W6 o' l* t加 N+DIFF ㄉ地方
- h& v' j+ B& r" @% ^
5 u4 X6 Q+ m* }5 k/ Z: b6 q以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
* F' w' _$ {) m4 Q7 e# z就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
( I8 p+ F* Q( a' T  f: }簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
) h- y/ K5 M% a5 I但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
* B& I' w6 @3 @0 O這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解