op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過
# t7 k1 V0 y/ r' c- M
. v6 a/ A# T+ i3 {8 w! B依然還是一樣的錯誤訊息！

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
7 c  g( C7 T3 a3 V6 Q! Q9 Q這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎

類比電路果然難理解

4 E. A7 H1 j% d1 n6 G, p) i: P  d希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
& D! n. q- ?2 o4 r$ \* l在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
8 R5 o6 O/ {" j; X/ H
5 X0 Y4 d# t' z' p, F3 \這個我有點看不懂是什麼意思！
可以在詳細講明白一點嗎!!!

OD是什麼意思？
1 i. l4 L5 |0 E4 e( sP-well不是nmos的p基體嗎？
3 i% s9 @* e7 S
5 \8 t* V% d  v" s: L不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
( K& A8 b+ c" S0 [/ v是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
4 e9 H% h7 Q4 t7 ~9 ]20um半徑圓內打幾顆P+_contact
就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion
' H$ t  L: m7 I& f
4 M; x: x4 D* c3 ]0 ]2 F$ `在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
3 D7 P6 |; o: F5 v* Z3 b. c, \3 \0 r/ z要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
加 N+DIFF ㄉ地方
9 J1 p& h( [- x$ \, P  d
以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
$ ^  i9 _: R* J3 V5 ?$ u0 f- S% }簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
+ I: s- F. L0 {+ y4 ~3 l但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解