op單級放大器layout之問題？

shihchia

前幾天Layout　op的電路，在DRC執行時，發現錯誤訊息
也問過我們學校的助教們
但重新依照他們的指式在畫過

& F$ N$ }3 p" N$ N* i- Y依然還是一樣的錯誤訊息！

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
這個問題一直指ｎｍｏｓ的那顆電晶體的問題
我也問過其他老師、他說要拉超過20um
但我不清楚、是要拉ｎｍｏｓ與電源的長度要超過２０um嗎
' x* h9 A2 ^5 _
類比電路果然難理解

7 n( }1 K1 S; W( ?+ S; O希望大家能幫幫我的忙唄！！！

m851055

其實很簡單就是，就是P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD   間距   要有20um以上。
在錯誤訊息已經很清楚說是space了。try看看吧。我覺得你的教授可能誤解了，或看錯了。

m851055

try 看看畫20um的間距，如果不行在做討論...........。

shihchia

P-well中的P+ OD要與NMOS的N+ OD
+ l* ?$ `$ `4 P
6 G- F, }1 k# y) p3 n) f這個我有點看不懂是什麼意思！
# k5 b* a" C! h  v  S' d可以在詳細講明白一點嗎!!!
, o: S) K4 A9 x9 @( W  j
OD是什麼意思？
( d; D/ w% P$ ]( g: |1 lP-well不是nmos的p基體嗎？
3 ~8 }0 G, s* j# e
不好意思！現在還是初學者、所以有一些專有術語看不懂!!!

egg

這條是check latch-up的drc rule
' \8 p8 H: g0 C是說你的NMOS在20um內必須要有body_contact(subtract_contact)
6 d* e& ~3 `1 U6 f  g: k( f) _20um半徑圓內打幾顆P+_contact
就會解掉這條了

m851055

OD=Active=Diffusion

- J8 a9 f% [  B* c6 F! S在NMOS半徑20um以內畫上，P+ OD(P+ &  Active)就好了。

motofatfat

應該是body or base 離的太遠
要在20UM內 以PMOS 而言 在NWELL 內
; `; n; e4 S2 ~! [加 N+DIFF ㄉ地方
3 v; F0 H9 f) g* _3 ~9 e
& g# @) M/ U. b: }/ ?$ l4 e4 t以NMOS 而言 即是 P+DIFF ㄉ地方

skeepy

LATI3 {@ P-Well Pick-Up to Nmos Max Space < 20um NASD Not PPKUP}
8 v9 w' z* Q$ O8 Y* b9 y" C2 t就說明要小於20um了，怎麼會要拉超過呢？
6 S) l: U% z$ c" |$ M: S) `6 H: V( \簡單而言就是pmos用n+ring圍起來，nmos用p+ring圍起來是最保險的。

tubaaa3210

表示你的BULK   OD  離 MOS OD 超過20UM
+ G7 t" O: f/ f! v/ g* s' f" y但是BULK上面一定要打CON. 且MOS OD上也是要打CON.
這就是樓上說的LATCH-UP的問題

yoyo20701

嗯~~~多謝大大講解的那麼清楚~~讓我這個門外漢~~~有更一層的了解