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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source), ) ~: `8 J4 s% H2 @9 h) ^3 w/ S
不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
' r3 `$ q* b1 o% P! o: \1 R4 O不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的
0 y7 s' R/ b3 s! f3 Y0 P; }$ z關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是
( m( }6 y; c+ N基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ, c: e- i: x% M/ \5 v0 c& q+ A# [
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的 , |, _& ]+ J, |+ `& `. }) k
VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了 . u$ U& ^4 U) D# E- v6 _  T
電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1 # k3 s$ m1 q: x" x; f9 O( a

; O" U7 ?; z! l, O8 Q: E$ O* ~打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩
" x) p" W! T0 h- p+ e+ e- N打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容,   z) `. m+ @, ?
0 _. q7 S% k- ?) O
要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度
' Y8 j# B( x0 J& e" ?9 ovia 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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