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[問題求助] 請問Via小問題

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1#
發表於 2007-11-21 00:32:54 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
之前有一位Designer說要求不要把MOS上的Via打滿,因為會造成寄生電容(Drain to Source), 1 _0 D5 E! S# M& P
不過我覺得MOS的contact要打滿才能降低Resistance;且能將電流均勻流進Drain and Source,
! S" S+ C0 _( _9 a不過Via不打滿電流不就無法均勻流進MOS嗎,希望前輩提供經驗或看法。
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2#
發表於 2007-11-22 17:53:16 | 只看該作者
基本上寄生電容的產生,不是各layer上下左右以及面積距離的
4 r4 b. `" y( k, D# u7 {關係嗎?(就我粗淺的了解),你可以直接問你們designer,這是
% m1 `! H& v& \- k基於什麼原理,我也很想知道.
3#
發表於 2007-11-28 09:37:43 | 只看該作者

回復 1# 的帖子

contact 是指連接到metal 1 的  你說ㄉ via 應該是 連接m1 m2ㄉ5 @  L. A: i7 o7 \; o( c0 X& `
如果這樣就還好 ,via 打一個就有效ㄌ
4#
 樓主| 發表於 2007-11-29 09:54:46 | 只看該作者
類比電路的MOS contactS 要打滿, 這是確定的
/ V9 L2 S& K6 h* r& z* p1 P+ ?VIA1就不用打滿,一次打兩個VIA1既可,兩個打上面(S),兩個打下面(D),這樣就很平均了 # o  J, _% L6 z  `9 _2 U
電流幾個 uA級的 MOS , 一個 VIA1就好,要良率好,那就用兩個 VIA1 5 G3 p% m% @2 f( g

+ C. P$ H5 t! J6 Q打太多,工時長,又不好跑線,以後改版也麻煩 5 P0 M5 ]1 }/ ], {
打太多,並聯可降低電阻,卻增加電容, 0 C" q6 n; Q- d" g, g2 T! U

/ H* ], q! K2 c9 [  J6 u% V" w要流大電流,就要算 via 顆數,和 metal 寬度 0 z, |2 H6 _4 O8 o
via 陣列過大(用min. space) ,製程也不好.
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