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[問題求助] 請教nmos in nwell的問題

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1#
發表於 2007-11-16 11:08:03 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
這顆NMOS用n guard ring圈起來,這樣的nmos,是屬於可變- O; X6 ~! }9 s
電容嗎?使用calibre的command file,台積0.18製程,& b: z3 S3 @6 [# K4 K
netlist file中那個model name是用 n表示,這model name6 ?0 A0 V  @0 |& X
是否有問題.
; v- u( `! s- ?, n0 o% zps. 1  error report是  / L, G% i3 M; H% b. G2 P% z4 t
******************************************************************************
# q, h3 }$ f+ m6 M2 \( w                                 INCORRECT INSTANCES
& s6 u. Z5 k0 T$ J$ q2 f5 r; x9 g
" l7 ?" h) z% C% eDISC#  LAYOUT NAME                                           ne  SOURCE NAME
/ {9 t$ q7 P6 {+ @*******************************************************************************- Q& m- o! n  d) X" A; e( p  i
! i3 e4 s! b6 W8 r, h& Y. S
  1    ** missing instance **                                    MC  MN(N)
; n6 B! j. P: q) P. W/ v+ q2 g& v- n8 [9 H* X
只有這樣,然後只說nmos有差一個,就沒其他解釋
, p$ m, g5 C+ n/ g  V& G' i, M+ b  H, t' a/ J* @$ m
ps.2 在另外一個版本中,也有同樣的東西,但是lvs卻抓得到,2個版本只有差在.tf檔不同版,( s# l0 g- y' A( K7 g
     會是tf檔的差異嗎?(目前找不到其他差異)
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2#
發表於 2007-11-18 06:14:51 | 只看該作者
從你的PS上猜測
6 j6 U( v  x/ R8 z9 R- E應該是device name對不到,檢查看看netlist的device name,如果是就修改LVS command files就好了。
3#
發表於 2007-11-19 09:46:06 | 只看該作者
如此結構不能說是  NMOS  只能說是 Capacitor!!
( Z8 J) b. U. ?0 B1 g/ f所以  不能以  NMOS 建圖!!
4#
 樓主| 發表於 2007-11-19 17:34:48 | 只看該作者
因為這個東西最原始的是投x芯的製程,將其轉為台積後,# S" q) @7 p2 D( i9 K: u. A( f
卻不知道像這種型態的moscap,在台積是否有效.
' a3 a3 u2 M3 N. s6 l% \0 P1 _所有相對應的layer都是正確的,對calibre的command file
! V" L: A% L% ^7 P: Z$ n不是很熟悉,不曉得像這種在nwell內做nmos還圍上n diffusion/ X. [' `, t7 [
guard ring的mos,command file會不會將它視為dummy cell,0 f/ K  ?+ V2 ~8 ~; Z4 @5 d% ?
而去忽略它.所以會有上面error report的情形,像layout少一顆mos( ~% n4 O+ \. f% [7 b
的樣子.又或者model name的問題,還是說要蓋一層layer讓
+ ]0 Q" c7 h8 z' _7 n$ c: t7 @command去認它.
5#
 樓主| 發表於 2007-11-20 12:01:43 | 只看該作者
從pdk中去找相似的type,發現台積0.18製程沒有這樣的( E7 f. }6 I4 Y9 z: y( x
東西,有一個比較類似的是mos_var,但是它的guard ring
" s7 q- S3 \' P0 _是p diffusion,找它的command file,也沒有mos_var這個1 f6 ]2 P, |5 f# H' _
東西.所以現在device name還不知道要怎麼給.
$ Z8 w; P6 J) Z8 N, r  r另外關於上面ps2中提到舊版本為什麼會過,我發現前面的
% J  }( z$ Z9 w3 ?$ t9 h' P人在那棵mos旁邊並聯一個同樣的mos,只是改成一般型態
$ l7 A- o1 b8 `6 g6 M( p$ B/ N9 V所以lvs會抓新的那個,舊的當成沒有這顆mos.
6#
發表於 2007-11-20 15:47:30 | 只看該作者
原則上  這個電容是可以用的!!
. w1 k4 p9 p8 ]& J加上一個 dummy layer 把它定義成電容就可以說!!# j2 `: q% n+ S" c/ c9 F
這個電容有許多人用過!!
. Z3 J& b/ m% o4 t6 N早期沒有 Double poly 電容的時候!!  有相當多的人在用!!
7#
 樓主| 發表於 2007-11-21 10:33:05 | 只看該作者
基本上command flie的描述是這樣  _- M! W! f$ S2 D8 f% g9 g
* VARGT = OD * POLY1 * NIMP * NWELL * VARDMY
0 \# ?3 b1 k, B( @. h! Znmoscap        1.8V NMOS Varactor      (VARGT-OD2-RFDUMMY-RFDUMMY1)6 \& v" C$ _/ a
這樣的描述與上述的moscap只差一個p或n的guard ring,那我device name用
! c7 I$ f0 ]/ v% L8 h"nmoscap",這樣是否可以.
' \8 A% E, m6 `1 x& b/ j. W/ T我在netlist file上這樣描述,9 M* E7 p& B6 m3 R& ^& T* `* y7 E
XMC1 VCMIN REFM nmoscap Lr=5U Wr=620U mr=19 J' r% f5 r8 ^3 R& t1 u6 Q7 c$ P
然後在netlist file中,INCLUDE 一個source_added,這個file中有nmoscap的格式4 Q( s8 E9 M9 i. C1 @6 `
這樣做是否正確,事實上還是有問題,只是搞不懂問題出在那.
8#
 樓主| 發表於 2007-11-22 14:00:20 | 只看該作者
謝謝各位的幫忙,在修改netlist以及layout,已經順利解決
1 I/ [) n6 [* p! B& p6 ~$ I- s" V這個問題.
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