關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
) B2 p  Q+ e/ i# [' T2 O4 h所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
: h, I: p9 c9 y5 A! D, \4 N( h& z因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂

所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
0 u+ d) U6 x% B: ~這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

. K+ ~3 S1 B9 y( g( |1 r以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
0 l5 ?, f/ L1 u: b7 p0 ~bandgap voltage reference?
$ q* Z% P! z% I1 }& wbandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
Bandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
* ]# d/ D# v( R. ~% VBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
; q0 q/ q+ v8 T& _& `6 ]& R
& n( F4 E/ |% [% ^# z/ N7 B

[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
$ j( l, Y! n3 m3 Q* ]! F假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
應該是接成MOS diode的型態

' a8 ^  g: }; y  s" @. V  y# tre:relax918
# X: L$ _. ~! }# r/ ?. t可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
" J$ o, @: I- w5 l1 n1 N這種架構就類似於Diode-connected Transistor
二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
0 _2 s- r1 u0 G" G) t6 \操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
- E2 F4 c( p& ?, D/ t; a
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
* Y: o( [) l* N& c利用P-N junction的特性而已
8 d& z" g" o0 a
所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
8 q0 r7 I- s! f8 W/ i) g' N應該也會跟BJT做出來的有類似的效果

但是何者較穩定就不保證了

因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
- c  v$ _. Y7 u7 G/ }' }它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
  P' j: `$ j0 w! `2 o5 \假如G端也接地的話  ...

. D+ U. c% Y/ R3 [7 E! o6 n感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
0 [; h, A. `) g3 [1 r( v* q/ {( _