關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
之前我有下一顆BGR
7 z* y+ _) Q+ C所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂

0 z4 O$ S* m' d, [" f8 _7 z所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?

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7 L4 J& J" A6 t: B# l" HBandgap 如何做到好的line regulation?
8 q3 @, ]$ m1 a8 W& ]請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
+ {# R8 a2 [$ sbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作


" Q, S  U5 K' F, `5 y( I! B
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
" Z3 }7 m& x! G應該是接成MOS diode的型態
. v/ N% \" `  S4 S$ J! F+ ], U
3 X( n, P- G! i/ j6 F( Zre:relax918
, v' p- K( c# e# A& c可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
這種架構就類似於Diode-connected Transistor
% t8 n$ H' n5 V5 s, `二極體接法形式的電晶體
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的
/ s# r" |; I0 p
4 h% t2 f" c& m& @  W, B! O- S而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
利用P-N junction的特性而已

' d$ q  s* ?# ^& ?; o, U/ R所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
$ g% D# I- t! r2 q/ v( P+ U應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
7 y  m3 V, \3 v, y' _* d
但是何者較穩定就不保證了

因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
& G. P, \' V% Z" J2 u+ w* c: |4 xNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
3 x' H% t; H! v! ~應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
假如G端也接地的話  ...

6 _3 M" S% x4 B  K0 b7 J0 q感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉