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原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表
; O% q O6 U; W7 m( o: h3 t至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有
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7 L; U2 T! c) M( Y& ]/ T再回答一下問題
( _" y+ e7 E$ ~% z: A* k X' C" e: ]在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了
( A4 \ o: X: O5 a. @% i6 h再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧% s w* q( _! y; ]/ ]
. C* q' u# q- n3 ^最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的
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( t( b% T2 f S, T2 z% [) ?9 \關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過& K( I. e: j$ l i! e; g
比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重
, e! D) i4 }6 U* ?6 }, F. |在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100
( m7 u0 j/ e1 @+ o在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:64
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" g+ x4 I. y2 V5 g) S2 q關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size3 F/ f6 N- O, b+ v8 d( D- J
如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何& o5 L( P8 ^0 }* v9 v/ _
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至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應
& ]6 J' ^- v3 P因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的
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. \3 R- i7 d* E' H- B至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設+ s2 k8 @: B) g/ ^0 {" m
只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
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