|
原帖由 finster 於 2007-9-10 01:05 AM 發表
9 p) d7 c, x3 f* B, j至於另外一篇有探討到emitter area=10*10um^2的BJT的比較,因為年代有點久,我還得再找找,我印象中有幾組不同size的比較,至於有沒有比較出10*10比20*20甚或50*50的值,我不敢說有或者沒有
e! B. E4 r( h
1 j5 p, k7 B% P% }6 V再回答一下問題7 n7 g2 Y) a0 S3 n9 B1 C6 r( s: y
在我作過的Bandgap circuit中,曾下過UMC和MXIC以及Charter,在作post-sim時,抽完LPE的BJT參數和沒抽之前是一樣的,而這表示其實製程廠對於在CMOS製程裡對於BJT並沒有辦法作太多的寄生效應出來,所以所抽出來的LPE才沒有太多的參數,故而製程廠所提供的SPICE Model準不準就變成是一個很重要的課題了
- M. B8 [$ R5 b# W/ _: Y/ Z再者,在CMOS製程裡,主要元件為MOSFET,理所當然在MOSFET所抽出來的寄生效應會比較多參數可供參考,如果是在BiCMOS製程,我想BJT所抽出來的LPE參數應該會多很多吧 Q. G9 s4 P! J5 H! H
) l$ `+ ]+ |, a, k4 q最後,我曾和製程工程師以及一些資深電路設計者談過,在CMOS製程裡作出BJT,那是一種近似的BJT,而在Bandgap circuit中,我們要用的是BJT對溫度的變化,而不是BJT的電流特性,故而在設計Bandgap circuit中,所在意的是溫度與電壓變化對於Bandgap voltage所造成的影響有多少,所以,在SPICE Model中的BJT,主要看其溫度係數變化參數而不在意其電流增益,所以,很多BJT參數是可以被忽略不計的- Q7 \: B" G2 `8 j8 I1 k8 u
! ~3 R( N$ w8 \, u3 X# I- g$ L8 s* m9 a5 h
關於1:8的問題,附件檔這篇之前板上有分享,所以我有大略的看過
- W+ ?: u& h/ l& k' J9 S+ P1 h' ?比較不清楚的部份在於它說當N增加時會增加更多的error,卻沒有說明發生的理由與增加多少時此error的程度有多嚴重6 z0 p" b J0 y, C
在A CMOS Bandgap Reference Circuit with Sub-1V Operation這篇中是使用1:100, X$ A% o$ u* F+ @# j( `. n4 @
在A sub-1-V 15-ppm °C CMOS bandgap voltage reference without requiring low threshold voltage device這篇中是使用1:64
9 A: x" f, L5 W' Q. U2 M) k& J- u7 z) @5 R% C( ` o
關於size的問題,我想知道的是10*10是不是當時比較的幾個bjt中最大的size0 k+ m, N/ Q/ x1 o# _) l! [$ U
如果是,比較好解釋;如果不是,我想知道原因為何7 J: [* s% y' L3 D3 a3 C: I+ |
4 Z: n( ]" Y/ }/ n至於bjt在lpe後並沒有抽出額外的參數,我想應該不能解釋成製程廠無法作出bjt的寄生效應& h7 B n: o$ m% `( P
因為以電阻來說,在lpe後電阻也同樣抽不出tc1,tc2,vc1,vc2,但這些數值卻是spice model中有明確定義的
[/ p ~1 `$ z+ h o8 g# o% V' D' i6 l6 v5 \. u2 y
至於area這個參數要不要設,我是從以前就沒看過有人在設5 r% n0 W4 W5 d% T) ?
只是最近忽然看到hspice manual而想到這個問題 |
|