關於CMOS的正負Tc

relax918

想請問各位較了解Bandgap reference 的大大
* V6 L1 J, U6 X8 }之前我有下一顆BGR
所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償
) g& L$ y2 l5 l: ?! p2 o可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT
; I' E- u' B: E! |  n+ ]BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
$ l! E% E2 \0 x! ^
所以想請問一下大大~  
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?
! ~( f: h" N% ^( S6 h, ]: E
0 Z1 g3 |, Q, l* @' D以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
4 V( p3 g) n+ f5 C, Cbandgap voltage reference?
bandgap voltage reference?
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
( Y' j: ?! w$ V# B0 T7 [- uBandgap 如何做到好的line regulation?
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
( w3 \. L2 T# k# R, d1 d+ ibandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
# _9 I, n! j  p# Y4 U; H3 }BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作

) n! w- `' k; n
7 X2 I) t* o/ l1 Z  Z
! [$ i4 i1 F! }- q. m' V8 B" m[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]

ywliaob

NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
7 x( C7 V8 I# Y4 f( W. F# A4 a假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧
但是我不是很確定喔

li202

NMOS的G接地====>那就關起來了
; y" `+ L/ \  F* u/ d應該是接成MOS diode的型態
+ n6 B# c6 x7 R6 p- Z) P0 ?3 d
- ?) P' [: }) j4 Z" m" Sre:relax918
可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑

Oo海闊天空oO

"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"
& v# K; z' v5 q; f  j& d這種架構就類似於Diode-connected Transistor
2 A5 Y) X' j5 U* R; R9 x二極體接法形式的電晶體
# ?& a3 i( C3 E這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值
0 `5 `1 f1 ?1 q6 o* i但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
公式的表示方法也不一樣
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的

而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起
7 b2 K' L" v% d3 [利用P-N junction的特性而已

/ T: U' C/ s. V& H8 L% t, t. H, X所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
4 @( s! H& w/ V4 @0 L* d應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
2 a( P& B* A9 o5 `
但是何者較穩定就不保證了

因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT

luyan923

一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。

engineer

為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？

JUI

ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
. A+ h% A6 L5 r  u4 q8 i# YNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
  \% c6 Z4 k- X: h. \/ B9 p假如G端也接地的話  ...

2 }! s, f6 U3 k! F( @感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
* A$ U0 f- ]1 W$ x