電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
/ B- L( p7 w% L8 ~8 S) |是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
* V3 q& r% E3 M8 L0 P- q) {老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子
2 L. @$ X. C/ w( I2 e& A7 i
此外再問個專業用詞的問題，請問：
! r/ T" {% |8 N6 I2 c. D( g; |' zSilicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
6 m4 |9 V; ^9 x我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
如果有layout上的達人請幫我一下
謝謝

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
6 f6 W: ]- P- V: v3 M% B8 Y# j8 uunsilicided poly...unsilicon targe Poly

tc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
7 z9 ?# _6 P  x% _5 k  V' mtc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
6 ?) J3 X8 ~! n3 cvc1 voltage across the first capacitor
vc2 voltage across the second capacitor

A two-terminal resistor.
The resistance R is influenced by the temperature as follows:
! A/ E0 b) X# yR = N (1 + AT + BT2)
# ]0 r5 O( Q7 OT = Ta – Tn
where N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
" G& n( ]; i! \2 p6 x7 f( N! u. O! U.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)
" ^' {7 a( J4 t5 \; N, @
$ b* H: h! G6 S9 a, H. H& V2 {
This produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
: O9 h# a1 i$ G  u* P+ ?) His different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
6 r7 \+ C' j" I1 vexample, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
$ a  f+ O( {) c( U" U30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.
9 Z; [4 w  K5 C  A' s
[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
. w4 S8 _. E+ i+ X) `跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
/ p# V  V1 `& M: `# h像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
, X  R+ |$ x( m* n# v
與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
6 |. Z: c2 y+ n" }" p跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
; ]' f8 Y. `0 g# t+ H! L! g像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!

與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電 ...

, ~9 U# F* V+ V: `6 ]1 ^+ nN+ resistor to 12V，so voltage is understand.

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
to m851055:
+ o) v* a, i5 J1 x" X! y. D　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
      你說得我有一點了解了，3q

請大家幫我看看以下的圖:
7 }  l5 s( B+ o5 E
5 I. @. w& g1 L: u4 A6 M
這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導
3 R. z1 _' s0 Y& e. `  D
[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。

另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。

0 Z. A* x4 y& t" V還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!

) ~) _5 D* f4 S1 E# {製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
0 {6 M  S0 `$ ]& }: u7 }" \6 Q這些值都已經算出!!
從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
; a7 V6 V" X& Y: _4 u但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

woo240

to m851055:
. k- C# a4 H. d8 m/ U   我指的翻是把英文翻成中文的意思
( Y2 ^1 a  g; N0 N   因為老師給的都是英文paper
" a" b- m. ~8 i& C- w4 B
. y- o+ E/ Q, R$ Xto sjhor:
     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
/ {# a) P% E; B他們應該就會描述!!
你可以依你的需求來做判斷!!
' e4 w, o$ q1 M$ F7 e1 N" P因為製程的不同  這些也都會有所差異!!
9 B' ~0 T2 F& j
每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
正系數或者是負係數  也有所差異!!
看製程廠給的資料比較準!!
$ k4 r: `4 V  u/ @& n. R' v
4 v( @! K, k8 u8 V% e[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

謝謝各位的幫忙
6 o& M4 X$ N6 }. r' {0 `2 u已經有了初步的了解了
這種東西自己找書真的會找到翻的