電阻layout時的溫度係數關係

woo240

請問電阻在佈局時的溫度關係TC與電壓係數VC要如何解釋呢?
! A& D) q$ ^- X1 p" w: N* v/ p是這樣的，我現在正在做有關LAYOUT的專題，但是一遇到公式就不會
$ f* W( U8 l% `  r5 A& I5 U老師給的PAPER中有給了TC與VC的公式
但怎麼想就是想不出怎麼推導出這式子
& _6 M  i* y. s3 Z1 ^
7 c! H6 M$ g1 I7 I+ w4 i/ D此外再問個專業用詞的問題，請問：
Silicided poly與unsilicided poly翻成中文要怎麼說呢？
) z' G1 ?1 Y% _& @  D3 U' I: j4 c我查了很多的字典，跟線上翻譯，但都沒有結果
" J4 G7 |' {! d1 h) m9 l- ^3 d8 |  E如果有layout上的達人請幫我一下
謝謝

m851055

Silicided poly...silicon targe poly
unsilicided poly...unsilicon targe Poly

: i0 X, _$ H7 H8 w8 @9 rtc1 First-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc1r; 0 if no model is specified.)
9 H6 c6 R3 ~8 `: X& O. i8 {tc2 Second-order temperature coefficient. (Default: resistor model parameter tc2r; 0 if no model is specified.)
vc1 voltage across the first capacitor
vc2 voltage across the second capacitor

A two-terminal resistor.
7 v% j3 T' q; W: ^2 q' DThe resistance R is influenced by the temperature as follows:
: E" O: b+ P" V6 A. ?+ v4 K, NR = N (1 + AT + BT2)
T = Ta – Tn
where N, A, B are device parameters described below; Ta (the “ambient” temperature) is set by the
.temp command; and Tn (the “nominal” temperature)

8 x6 i/ t2 b/ Y4 y* R$ u. b' g
! q( m7 Z) O0 s+ v: BThis produces a resistor of resistance 30 kilohms at the nominal temperature tnom. If the temperature T
( Y: A$ q' ^2 y* i8 Wis different from tnom, the resistance is 30,000*(1+0.01*(T-tnom)+0.0001*(T-tnom)*(T-tnom)). For
example, if the circuit temperature is 127 degrees and tnom is 27 degrees, the resistance is
30,000*(1+0.01*100+0.0001*100*100) = 90,000 Ohms.
; L/ h5 T  `2 }- e' f
[ 本帖最後由 m851055 於 2007-7-30 08:50 PM 編輯 ]

sjhor

電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
7 k4 M& H8 \# r; V* ^- B跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
: Z/ B; {7 ]; t# c/ O像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
' q2 U5 k# ]5 m+ r! P% v
+ f1 _4 a' c# [4 Q- a, K0 O, o5 D$ D與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
1 `/ k" Y9 [) f, S: g" Q4 r& A這才是考慮電阻 layout 的住要原因吧!!!

m851055

原帖由 sjhor 於 2007-7-31 09:15 AM 發表
電阻的 layout 應該與溫度比較無關吧!!
7 y. [% r% A2 v# v  E跟電壓應該比較有關!!  但是需要考慮材質!!
# q( O: F, a" b- j+ T& `像 "N+" ...... 等等要加上偏壓的情況, 才會有電壓與layout有關!!
. f3 ^/ {; N; B4 }" L3 S
與溫度關西的 layout? 應該要看熱源吧!!
這才是考慮電 ...

/ q+ T/ f( w5 ?% J& {

# \( e/ H4 X. N8 `, o: pN+ resistor to 12V，so voltage is understand.

woo240

感謝大家的回答，對我來說幫助很大
: ~2 p  ~9 E4 ^/ v3 {+ @to m851055:
% J+ M. e8 C1 c& n9 s+ m. ~　　請問這個例子用於.35製程也可以嗎?
) q; e% P6 m8 b: J. v9 b% t      你說得我有一點了解了，3q
. p7 v! L+ t* k: T1 a0 L0 M# M7 T
" }6 S4 h9 l! w2 y請大家幫我看看以下的圖:
2 O* |$ u3 O! K& X

這就是我所說的公式，老師給我的東西我都只是翻出來，但卻不懂
就連例題也是懵懂懵懂，有找過書，但是並沒有看到這樣的公式，請大家指導指導

[ 本帖最後由 woo240 於 2007-7-31 09:30 PM 編輯 ]

m851055

foundary 廠通用公式，一定可以用。

另外你所貼的圖找半導體物理的書就有了，我以前也推導過(在大一時)，現在在業界都沒用過。
6 Y3 Q. u# L0 }0 w: \0 t1 Q- ]/ ]. r" @
' l" m( P$ q  D( u還有你說"翻出來"不懂是甚麼意思。

sjhor

TC  和  VC 的物理定性公式是如此沒有錯!!
/ G* y" Q: X: E4 ]) O
製程廠提供的 TC, TC^2, .....  VC, VC^2, ........
這些值都已經算出!!
從圖中得知 TC=1000ppm, VC unkonw.  
( _5 s, I3 u) |* `$ `1 f2 [" d但已經提示  VC 是 所有可用的電阻中  是最佳的  所以放心去用的意思吧!!

woo240

to m851055:
; X- P5 B' r8 I7 o   我指的翻是把英文翻成中文的意思
# Z( p6 [6 _6 j: n! O! r   因為老師給的都是英文paper
, K& S; V: s& s+ X
to sjhor:
- V: U* [+ D* A, w     這是說以poly來話電阻的話VC是最低的是嗎?
     那如果以別的層次來畫VC是不是會不一樣?

sjhor

你可以看一下你使用的製程之 SPICE Model 或是他的 Electronic Design Rule
# A" ~8 D* T/ f/ W& c" T他們應該就會描述!!
你可以依你的需求來做判斷!!
因為製程的不同  這些也都會有所差異!!
) B+ b6 w* O& f- Z# ^$ P: U
每一種材料的電阻其  VC/TC 都不相同!!
  c1 S0 t) I; }- K% R6 c正系數或者是負係數  也有所差異!!
" e3 f2 n; A; J3 Q4 c看製程廠給的資料比較準!!
1 s1 q5 L! j' O0 N4 E( K, Y
[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-8-2 12:23 PM 編輯 ]

woo240

謝謝各位的幫忙
已經有了初步的了解了
& H2 q0 g3 x& S! ^這種東西自己找書真的會找到翻的