Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 39320|回復: 21
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] 請問一下Guard ring要怎麼畫

  [複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2008-1-18 17:17:07 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟我是用virtuso畫...沒有畫過guard ring
, e/ M& e# p( t9 ]- o; Q可以請知道的人幫忙一下...交一下小弟^^"
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂8 踩 分享分享
推薦
發表於 2008-7-10 15:21:06 | 只看該作者
在此先簡稱Guard Ring為GR,
, C+ b. M5 B& _2 {. B畫GR的方式就是在MOS電晶體外圍打上一層metel+cont+diff以及np or pp6 h& I4 _- h8 {" t8 y! i
如果是NMOS就打PGR,PMOS就打NGR
) [& d5 N. d3 m. H5 @所謂NGR和PGR就是指np 和pp的選擇,2 j  ~9 C' ~+ j& H4 K
NGR就是metel+cont+diff+np,  ?. z5 b, E$ l+ @. W8 O' G8 Y9 L
PGR就是metel+cont+diff+pp,
, `+ ?2 F; W6 l要注意的是GR必須把MOS電晶體整個圍住,
- t) {, Z$ V/ j+ I7 ?5 h. }GR的目的主要在降低雜訊干擾

評分

參與人數 1感謝 +5 收起 理由
crystal_blue + 5 解釋詳細

查看全部評分

推薦
發表於 2008-9-25 17:16:29 | 只看該作者

回復 6# 的帖子

Double Guardring 就是在原有的Guardring外圍
+ S, m6 R+ E) t( S( [' ^再圍上一層不同implant的Guardring# z: f$ s( l6 N8 b8 S
以達到雙重保護的功能
% O& p# q7 c) Y. \4 x& \/ ?4 d9 i) |2 u+ W4 f9 Z
例如pmos圍的第一圈是NGR(這圈其實通常是當blk用)
$ T6 r; R" [  L. p再圍第二圈 就是PGR2 i% f# x8 O: h2 {' L# A/ y

! g3 \1 Y; E1 W: h6 o+ P. z必須注意的是 當nmos圍第二圈的NGR的時候
% N' M3 w# _0 Y6 B此圈Guardring必須加上NWELL  N0 v, F; h9 E
而NWELL覆蓋的部分 就只有第二圈Guardring5 M& n  b7 H& K0 J. P' p! E5 t
不可覆蓋到第一圈Guardring裡面的部分

評分

參與人數 1感謝 +4 收起 理由
段睿閩@FB + 4 贊一個!

查看全部評分

3#
發表於 2008-7-11 22:48:37 | 只看該作者
不同的工厂有不同的画法,应为定义不一样,所以要看工厂而定!!!!
4#
發表於 2008-9-20 19:20:24 | 只看該作者
可以在tf文件里面定义,也可以自己定义Multipath来做guardring% P! t# ~5 h: d" x% t
在tf文件里面定义大概格式如下格式,但是有些代工厂的tf自己加了语句上去不起作用
, p( V$ g* W: ?1 g. W
1 K7 K9 d! N1 i6 L0 C- p( ClxRules(
- `" f; Z$ q5 t+ M/ a
4 U7 ]# G5 W( ZlxMPPTemplates(
! f# ~. f) p4 y% M" Z' j;( name [masterPath] [offsetSubpaths] [encSubPaths] [subRects] )" L* u7 P2 c* `+ v) F3 h
;3 ^4 O# m0 I* i7 u* x3 A
; masterPath:
" ]. e! x5 A* ]& g2 K/ W; (layer [width] [choppable] [endType] [beginExt] [endExt] [justify]' r' _  h* J1 L& Q+ D, w- J
[offset]
% q/ n- Z+ G1 u$ z/ P4 z! K. [9 _; [connectivity])& i! K$ |4 h# [0 H4 @
;6 _* C* Q5 [# C" X: A1 \
; offsetSubpaths:8 E+ ^3 d& S( \
; (layer [width] [choppable] [separation] [justification] [begOffset]; h, P( o) E$ M6 ]) S3 y+ p
[endOffset]  u- v- }3 B' V; Q1 ?+ L) K4 r6 C
; [connectivity])* j1 {# K9 L3 ]2 o: ?, ^
;
2 @' U* t0 n) q# L! m; encSubPaths:
  U4 M: i- G9 O3 }# {6 {; (layer [enclosure] [choppable] [separation] [begOffset] [endOffset]
/ C/ i% U& Q/ [; w% F; [connectivity])! g* U( q! n6 i3 ~5 L+ J+ D
;
. I0 W. E2 f. H7 H. E; subRects:' \; O; ?( G- C/ q* J
; (layer [width] [length] [choppable] [separation] [justification]
+ R1 k' q$ I9 ]2 ]% v( @[space] [begOffset] [endOffset] [gap]9 [! \, k( M' ~& J5 F& X
; [connectivity])
2 P$ b& {5 i& N/ l0 P/ P;
& V. n- N8 w4 H. [; connectivity:
# j6 T7 e: |* x3 r% d- D& O; ([I/O type] [pin] [accDir] [dispPinName] [height] [ layer]3 r/ S/ d( T; [6 l" j6 H7 S5 C
; [layer] [justification] [font] [textOptions] [orientation]4 r5 b/ d2 G: k1 m" k3 I& l
; [refHandle] [offset])' |- z( b7 w2 w7 I9 P! T
;$ f0 ~& i/ D, H" o5 c
;( ---------------------------------------------------------------------
' H. i7 [2 Z, ~+ U( O7 y9 E)  Z2 `/ z0 z: |9 i

8 e! X) Q4 e2 x. t/ X$ ^/ x(PP_RING_ROW_1* B# g/ k  T( k/ e: W
(("PIMP" "drawing") 0.46)
0 U+ d' K0 o: i' W! r  `; nnil
. {' ^1 n% t8 H: [) S((("DIFF" "drawing") 0.02)
$ ?" y0 {: a. H( A( q(("METAL1" "drawing") 0.06)
/ n! w) v3 I0 b9 j2 ~: O)
4 `% E: Z7 {9 w: d# G2 v0 o((("CONT" "drawing") 0.22 0.22 t nil nil/ {: P* C! x) F7 Z8 ?; ^. \
0.28 -0.25 -0.25)' P8 Z" A: A3 E! g! X. ^0 P
)$ Y4 d" R% N  ~8 h& L
)
  g. K" c* n6 K' |( k! ]% Z..... any other MPP define..7 k. s- p' U  g
..... ....
: t$ ]% {4 s' i+ {% f% j, b; k..... ...
0 {7 u* G+ |3 S! \. W
! y9 Y' a. i9 H1 E4 y7 U* }) ; end MPP
" e8 @& b7 U2 W% y$ w.... other class
3 w- a9 V2 g  A...
5#
發表於 2008-9-22 11:13:07 | 只看該作者
要看那版的5033沒用,要5141版以後的,
0 @  ]3 @" U9 z4 f8 c就會有類似laker的auto guardring功能一樣,8 |' ?; V7 x; H; q8 j; q$ H
圈選device就會幫你圍起來了,這功能很好用
. P6 |* }  v5 a8 z* T  ],還可以打雙排contact當esd ring。
6#
發表於 2008-9-22 11:35:59 | 只看該作者

回覆

能否請各位大大再 教教 double GR 如何畫( h( t- ]( n) `4 H  ^
謝謝* I4 L& J# k5 W. J5 [3 T
~~~~~
8#
發表於 2008-9-26 16:37:52 | 只看該作者
實際請參各proecss DR中的Guard ring rule
9#
發表於 2008-9-26 16:49:25 | 只看該作者
總知 !!
- j0 V2 ^0 ~" |  ~* qNGR n-diff 就須接最高電位.
+ N: R# }/ k% }; v. lPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.
! O' {4 R) D+ u- w
- [7 j! d" K# C. s8 Y目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
$ N# W1 \- ?- \) I, Q( ]! D- c
7 h" Y6 A7 Y, N" x8 V1 D; H1 m* R 共勉.
10#
發表於 2008-9-26 16:54:51 | 只看該作者
總知 !!
/ r) e$ `0 R0 ^: \+ {* V3 BNGR n-diff 就須接最高電位.
% H! S; B" M: o1 @" x8 RPGR p-sub or p-well 就須接最低電位.3 t2 O; i" S, M( s' D/ s

- N! `3 k$ h; {% w! S9 ~目的是讓 device 環境在 ideal 的狀態下 Operation.
* P! _; S8 L- x0 w) x/ P! G0 c, u! j3 Z. E7 a. }$ I9 C
共勉.
11#
發表於 2008-10-9 11:22:12 | 只看該作者
這是我自己定義Multipath用來做guardring
6 R8 j7 ?& x3 N/ W) `/ A2 _3 [直接LAOD就可以用了
& w, A% |& \9 x5 z8 GDIFF
" u' U5 ^! I$ a& uPIMP
4 ]0 f8 Z% D8 g* ^, N. f! }& kMETAL1
; g* u( C% t- n% U# N4 zCONT1 t9 a- |$ m6 o9 P5 X% E2 W! b0 f& @
LAYER請設定成以上名稱/ j7 P, S& y( `+ |) z

! e) ^, S7 O2 n9 E[ 本帖最後由 wolfhound 於 2008-10-9 11:24 AM 編輯 ]

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
12#
發表於 2008-10-15 15:04:54 | 只看該作者
直接修改techfile?
  T: v$ U! v- X5 H; L7 i* y: L% x1 `load后如何操作?  x8 Q& i4 N3 I( U' s
谢谢了& @# A( K1 t, T- b
这样限制字符,有点不太好
13#
發表於 2008-10-15 15:44:41 | 只看該作者
大大能否不加密,改你那个文件要方便很么啊,十分感谢的!!!!
14#
發表於 2011-4-20 00:21:35 | 只看該作者
原來guard ring double layer 是這樣子,很感謝大大們的分享。
15#
發表於 2011-7-31 09:24:10 | 只看該作者
以上讨论的GR 都没有问题,对于Analog来说,devices通常会放在完全封闭的GR里,对于Bipolar、DIFF RESISTOR、或者用到HOT NWELL时,很多Foundry都会要求Double Guard Ring。6 ~4 \# S6 A3 N3 i

. [$ y* V: N. s* A想说一下大家没有谈到的问题,其实GR还会用在Block外,对于Analog而言,Double Guard Ring可以避免Substrate上的Noise影响,对于High Speed RF circuits,substrate noise 不能忽略,常常需要较宽的Pdiff(接干净的地),Ndiff(接干净的POWER)来收集Noise,不同Block之间的Double GR形成了P-N-N-P的结构,而这种Back to Back的结构可以避免不同Block之间substrate的Cross talk。

評分

參與人數 1感謝 +5 收起 理由
crystal_blue + 5 有用的資訊

查看全部評分

16#
發表於 2011-9-15 14:24:58 | 只看該作者
最近剛好在繞guard ring double layer  看到真是很有感覺 XD
17#
發表於 2011-9-21 13:06:53 | 只看該作者
看了各位大大的討論,真的受益良多,謝謝
18#
發表於 2011-10-12 11:31:46 | 只看該作者
謝謝前輩們的精闢解說!!!
19#
發表於 2014-10-8 23:11:21 | 只看該作者
回復 15# smilodon 8 u6 A3 l$ S& l$ y. c* \

4 \7 m7 z9 I' M7 ~+ M7 x& W' @碰到BiCMOS情況,npn管是否直接在外面接P-tap接地,N-tap接電源;pnp則外面是N-tap接電源,P-tap接地,這樣子是不是剛好就是BiCMOS中的HBT晶體管的double guard ring呢,請指教。如你說說,是否涉及到RF之間不同模塊,模塊之間是否採用P-tap/N-tap/N-tap/P-tap的方式進行隔離,這樣子會得到不錯的效果呢。0 m2 B  G% [- \9 A
非常感謝,請指教~
20#
發表於 2015-6-17 21:08:54 | 只看該作者
guardring是很重要的5 L( I3 h! w) T% Z& n+ ^
不能亂接
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-30 12:34 PM , Processed in 0.135017 second(s), 21 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表