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[問題求助] 多大的Buffer可推動NMOS gate

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1#
發表於 2010-1-26 11:02:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
最近做了一個Clock gen,要輸入到NMOS switch的gate,發現輸出訊號不見,7 H9 K/ b% p& d4 F
6 e9 ]$ E( V* M- \
懷疑是gate oxide的電容太大,導致無法推動,在Clock gen的輸出接上一組Tape buffer後,
- ^" I+ e* p: M6 u) ^2 K! _, A4 d0 ~/ J5 B( C% M
NMOS switch 的訊號還是沒出來,不知道是哪邊出問題?煩請版上大大幫忙解決,感激不盡。
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2#
發表於 2010-1-27 17:32:01 | 只看該作者
1.你可以先觀察你加上的那一組buffer的每一級的輸出是否正常。8 H+ N4 L4 e& \3 b( H: T: Q
2. 你的NMOS switch是接到哪裡?? 電路畫出來勝過千言萬語。
3#
 樓主| 發表於 2010-1-30 00:02:09 | 只看該作者
遊客,如果您要查看本帖隱藏內容請回復
; e# J& B. A, Y

% ]# P7 P6 I0 R( V電路示意圖,如上圖所表示,一個簡單的sample & hold的電路,. m0 a" V  p1 O
標準電壓1.8V,Clock為理想Clock(rise and fall time =0ns;period=2ns)
: R: _: k' m1 w: j; C3 X輸入訊號sin wave (amplitude=+-0.1v;25MHz)
1 R" B3 [' X' N9 ^. F$ ^) _. N在理想的switch中,輸出訊號正常。
' B" f9 m/ m& q7 S6 t9 ~在NMOS switch中,輸出訊號縮小且失真不正常。. \* ?2 h8 N# e' q& m
取樣電容大概=400f F左右。
, O0 U9 q& j3 B4 u先謝二樓副版幫忙解答。

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x
4#
發表於 2010-2-1 11:13:04 | 只看該作者
1. 因為你的clock gen是用理想的clock信號給的,所以加不加buffer都沒差,(加了可能變差)
( ?8 ]' i6 U2 W$ _2. NMOS switch 在trun on時會等效於一個電阻,所以會形成一個RC電路 (即充放電),因只開2ns,速度可能跟不上,不是將取樣時間加長,不然就要把NMOS W/L 加大,讓充放電速度變快。 (不過看你的輸出波形又好像已經到穩定??)

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hiyato + 5 詳細解說

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5#
發表於 2010-2-1 16:21:26 | 只看該作者
回復 3# hiyato ; r6 }% V6 n5 ^" a6 P6 [
& J+ o  {: z1 ]. Y% e% w
+ j+ O: @9 \3 B! k5 U
    學了一課.感謝大家的討論
6#
發表於 2010-2-1 21:35:45 | 只看該作者
学习一下,谢谢!!!!!!!!!
7#
發表於 2010-2-2 00:05:17 | 只看該作者
又學習了一樣  感恩!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
8#
 樓主| 發表於 2010-2-5 00:42:58 | 只看該作者
回復 4# poseidonpid
$ {5 ^% g3 w/ G5 U
3 }. Y/ }9 B3 ?; u/ ?先感謝副版詳細解說,再試著調整Sample rate與MOS size試試看。
9#
發表於 2010-2-5 12:56:00 | 只看該作者
又长知识了,不过还要回去分析一下
10#
發表於 2010-2-9 09:21:54 | 只看該作者
為什麼要回應才能看到圖
) c2 X5 W$ q/ {這樣別人怎麼幫你回答
11#
發表於 2010-2-9 18:44:35 | 只看該作者
ok increase the width of NMOS ,reduce the value of capacitor
12#
發表於 2010-2-10 11:10:41 | 只看該作者
我也看一下電路的情形% w# l9 J; m9 V, A4 [3 G
所以回覆一下
13#
發表於 2010-2-10 11:15:07 | 只看該作者
設計SWITCH時可以先跑一下RON的值
" H& A: B) u; {+ ~' m- O, Z. H列成一個表
4 C' `; U$ d' Q  ~3 a& y之後看表拿進去套用即可
4 H  Q6 e0 t- v) l/ e此外此電路SH電容不大5 Q4 L: q) n4 q7 V
會受到charge injection & clock feedthrought的影響也要考慮進去
14#
發表於 2010-2-23 12:44:45 | 只看該作者
回復 13# rice019 ; E  U, C3 i. q8 W/ F) u7 Q) C

) h$ e5 ^/ D" C" F( Y, q5 }: D, V
    看下原理图,回复先,2ns  ~500MHz
15#
發表於 2010-5-5 15:59:42 | 只看該作者
想看依下電路圖...方便了解
16#
發表於 2010-5-6 17:01:33 | 只看該作者
先看一下圖,幫助了解一下狀況,好看看有沒有合理的解釋
17#
發表於 2010-5-6 17:15:35 | 只看該作者
看你的輸入電壓和工作頻率,我猜你是想做Dickson Voltage Multiplier吧?2 m8 @$ ~, [, M! C6 M) q
由於輸入電壓非常低為0.1V,且為Sine Wave,2 m, I; [- t3 w1 V8 ]) Q, X: z
在此一狀況下,輸出會被MOS Rds-on所損秏掉,
3 r4 w: n( s/ j$ C& m; F, v0 k一般來說,Rds-on與W/L成反比,但是光加大MOS的W/L效果有限,且不適用!
9 ?8 J, I, h$ p. T+ U% q看你輸入電壓為1.8V,想必是0.1um Process,. ^) }# X( y- |4 t+ l( ]
建議你改用Native NMOS,相信能解決你的問題。
18#
發表於 2010-5-7 15:22:09 | 只看該作者
想看依下電路圖        ...
19#
發表於 2010-5-9 19:42:07 | 只看該作者
为什么电路图要设置成回复可见呢??7 Y2 I) }2 }" n
前面说的不错,应该调switch的宽长比,电容最好不要减小,以免误差增大
20#
發表於 2010-5-9 20:40:51 | 只看該作者
一方面需要clock的buffer 具有足够driving 能力,
, C2 I! o9 X& @& l# O另一方面一定要run switch的RON(一定要sweep 所有可能的工作电压差的情况)
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