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[問題求助] 如何讓 current mirror 做的比較準確?

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1#
發表於 2007-7-3 09:16:57 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
4Chipcoin
當 current mirror 呈現 1:200 的放大倍率時,
9 l5 Y" a' w/ `. P' R+ y且有 8 個 channel 時, 如何讓每一個的 channel mismatch 做的最小?+ Q( ?8 d) [' O" x" o+ u
因為  process 變異的關係, 所以這一部分的誤差還相當大!
9 E) B. D" s/ ]3 _3 `8 w6 v7 }5 H2 \該如何避免?" z( ?3 ]& O6 V# x& @
又  經過大電流  會產生高溫  此時的 current mirror 的倍率也變化相當大?
% j* y# ?, G5 }4 c% {$ \4 p. P該如何克服?

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monkeybad + 5 值得探討的好問題!

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2#
發表於 2007-7-4 17:12:03 | 只看該作者
可以試試用casecode的方式
# ?- B0 ?6 {* v+ O  x- s! i/ m2 }& C; m4 n' y$ Z: q
不過之後的layout才是重點核心的部分
, I" R9 s5 [1 D8 p# E
! r* a. D8 r* ^

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monkeybad + 2 感謝經驗分享!

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3#
發表於 2007-7-4 23:18:32 | 只看該作者
1.可以先做1:10(或1:4,2:8)的 8channel match 這樣面積較小match效果好點
- a! [2 l; Y9 K  O4 d$ ]3 s   各channel再做1:20(1:50,2:100)
# [: Q$ H5 V- [) S" d2.如果不考慮area,效果最好的是用calibration的方式,這須要用到電容及switch而電容大小會決定
( L1 N; `* i4 M! q1 B) f   calibration cycle 4 D- A: }  A4 g2 p+ e% J
3.每一顆mos DC 點都要一樣 那可能就要出動OP來鎖電壓啦!
+ X" P$ ]: Q- D" S  h4.元件的L,W 也要選安全一點的range

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Good answer!  發表於 2022-8-22 03:59 PM

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monkeybad + 3 Good answer!
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4#
 樓主| 發表於 2007-7-5 09:17:56 | 只看該作者
1. 有想過一級級的轉!! 不過每轉一次!  就會有一次的誤差!! 如此的變動率會不會太高唷!!* ]) R) _8 w& s) t7 R
2. 有考慮 trimming method!! 不過! 不太可能 trimming 8 channel! 只 trimming 最源頭!!
% C) b  n  ?9 Z8 \* y1 N3. 有看過類似的架構!! OP 的 offset 是不是要非常的小? 否則真的不知道影響程度為何唷!!# |% S9 M$ t4 m: {
4. Cost/Performance ratio 真的很討厭!!  又要小!  又要準!  真的好困難唷!!!!
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5#
發表於 2007-7-27 17:48:13 | 只看該作者
先把八個channel做相互做match
2 [+ `( t9 R4 ^8 }再用一顆OP取其中一個channel電壓做鎖定
+ O+ l- L- T6 A6 q
# o7 s- _! \3 i6 ]1 t8 E% N% d+ b提供一點個人意見
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6#
發表於 2007-8-23 23:25:31 | 只看該作者
這個問題在 LED driver 會常常遇到
1 J1 i  I! s* _8 l0 h5 U) J. D- s2 I: h1 E* d1 F% Z8 K
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制; \; T: I. L6 q. e
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知9 {( m/ c: O5 p: f- D
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]4 R. c4 f$ K# N$ X1 G9 @
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
) x' ~4 v& q1 i: ^另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力/ F' e$ N% `6 U+ ^7 s+ v0 F9 ?
並減短設定時間* P$ ?" K, X/ n5 x* S1 ]# v, }7 t

7 J9 F2 X' W, N3 \; o6 U3 c4 Cchannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error7 d9 m0 D+ b1 W7 `/ b2 ?) e! R' K
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
9 T& B: Y; q/ z8 J0 b; ?' R
  ]1 B; X* b' I  e至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
! `" Z% {, j$ z. e此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
0 i2 ]0 Z: K& B& [4 R
! t2 z( ^- [# d, f) L3 \0 g' R溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
$ S) f1 C9 T! F這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小8 J$ Y& r- W7 R
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,6 N; V- l8 X! P  b/ N
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
  e  I: Y" Z8 C/ @& B" }Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a): _/ a4 u( L. e& b7 _
選用的 theta(j-a) 必須確保在) K, e0 {# e7 l4 K' P( a
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree+ }/ o; Q' z0 Z+ U0 B+ s
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal

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mt7344 + 5 Good answer!

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7#
發表於 2009-5-1 14:08:48 | 只看該作者
除了電路設計解決外,  Layout亦是關鑑8 ^1 U+ R  V+ V' u

- Z2 y5 W  n5 A* V; @8 n' Y1. layout 單元化(Unit) 以此單元倍增減
+ A* X  T. D( u* [2 V% ^2. 元件W/L盡可能最大化 W>5um, L>3um或更大+ B( [$ I3 e) |. C/ f
3. 多可善用匹配layout技巧, 如交叉, 對稱, Dummy...
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8#
發表於 2022-10-12 19:55:32 | 只看該作者
謝謝大大無私的分享,感恩
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