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這個問題在 LED driver 會常常遇到
1 J1 i I! s* _8 l0 h5 U) J. D- s2 I: h1 E* d1 F% Z8 K
首先是準確度的問題, 由於需求是 1:200, 最直觀的方法就是以 MOS size 去控制; \; T: I. L6 q. e
然而由 MOS 飽和區電流公式 ID=KP/2*(W/L)*(VGS-VTH)^2*(1+lamda*VDS) 可知9 {( m/ c: O5 p: f- D
主要誤差來自於 channel length modulation effect [(1+lamda*VDS)項]4 R. c4 f$ K# N$ X1 G9 @
鎖定 VDS 其中一個方法 就是使用 OPA 回授控制
) x' ~4 v& q1 i: ^另外, VGS 雖然不是誤差項, 但由於必須推動大負載, 所以ㄧ般會接一個 pre-drive 增加驅動力/ F' e$ N% `6 U+ ^7 s+ v0 F9 ?
並減短設定時間* P$ ?" K, X/ n5 x* S1 ]# v, }7 t
7 J9 F2 X' W, N3 \; o6 U3 c4 Cchannel 跟 channel 之間的差異定義為 bit-to-bit error7 d9 m0 D+ b1 W7 `/ b2 ?) e! R' K
這方面的差異, 主要是由 layout 本身的 mismatch 產生, 較佳的layout對稱性可有效解決這個問題
9 T& B: Y; q/ z8 J0 b; ?' R
]1 B; X* b' I e至於 powerMOS size 部分, 主要是由 output minimum voltage 決定,
! `" Z% {, j$ z. e此規格與最大電流値直接決定了 Rds(on) = Vo(min)/Io(max)
0 i2 ]0 Z: K& B& [4 R
! t2 z( ^- [# d, f) L3 \0 g' R溫度所引起的電流變化, 主要是改變了 VTH(T)
$ S) f1 C9 T! F這方面可由 layout 解決, 將源頭 MOS 與 powerMOS 擺近一點, 讓彼此的溫度差異縮至最小8 J$ Y& r- W7 R
然而, 溫度方面較麻煩的難題在於 package 的選定,6 N; V- l8 X! P b/ N
在正常操作下, 假設 Vout=1V, Iout=20mA, 在 8 個 channel 的情形下,
e I: Y" Z8 C/ @& B" }Ptotal = 1*20m*8 = 160mW = (Tj(max)-Ta)/theta(j-a): _/ a4 u( L. e& b7 _
選用的 theta(j-a) 必須確保在) K, e0 {# e7 l4 K' P( a
typical 規格 Ta, ex. Ta=25 degree. 及設計之最大接面溫度 Tj(max), ex. Tj(max)=125 degree+ }/ o; Q' z0 Z+ U0 B+ s
選擇 theta(j-a) < (Tj(max)-Ta)/Ptotal |
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