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樓主 |
發表於 2011-3-27 11:34:00
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要回答你的問題前, 我要知道一些東東:) n5 Z- l' t# L& ~ v
1. 請問製程為何?2 I: O& e+ @2 R: b/ d: x5 S
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
% I9 s' @9 N1 }1 @' V( ]klim 發表於 2011-1-18 14:32
) g, J: ]; \4 E8 |, r8 B3 n! q c( x. \
1), 請問製程為何?, l9 R' x" H$ F( Q$ t
tsmc 0.18um
: }4 d3 Q+ ^! }/ O4 L) u- O$ ^3 H/ d( S- l. I9 b
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
, q) q, K; {- I4 r/ U G1 f两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打1 T+ t* C h" P! w. ^1 {$ G8 S
5 N& D1 u" v# G1 p% Q3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置 |
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